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常虎东

作品数：126 被引量：7H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺航空宇航科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 122篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 47篇半导体
  • 28篇沟道
  • 26篇衬底
  • 17篇迁移率
  • 17篇纳米
  • 16篇半导体器件
  • 15篇界面态
  • 14篇态密度
  • 14篇纳米线
  • 14篇界面态密度
  • 14篇III-V族
  • 13篇迁移
  • 12篇电阻
  • 12篇纳米线结构
  • 11篇电路
  • 11篇异构
  • 11篇晶体管
  • 10篇硅基
  • 8篇短沟道
  • 8篇短沟道效应

机构

  • 118篇中国科学院微...
  • 9篇桂林电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 126篇常虎东
  • 119篇刘洪刚
  • 93篇孙兵
  • 57篇王盛凯
  • 27篇赵威
  • 16篇金智
  • 15篇薛百清
  • 13篇卢力
  • 13篇王虹
  • 12篇刘新宇
  • 11篇刘桂明
  • 11篇周佳辉
  • 9篇李琦
  • 9篇韩乐
  • 9篇李海鸥
  • 8篇肖功利
  • 8篇苏永波
  • 7篇郭浩
  • 7篇李跃
  • 6篇丁芃

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 7篇2021
  • 7篇2020
  • 20篇2019
  • 6篇2018
  • 16篇2017
  • 8篇2016
  • 14篇2015
  • 17篇2014
  • 11篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
共 126 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法
本发明公开了一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌，利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件，然后在该偏置条...
刘洪刚刘桂明常虎东
一种电加热4D打印合件及打印方法
本发明公开一种电加热4D打印合件及打印方法，导热胶带和所述加热导线复合，并贴附于4D打印构件的变形区域表面，提高4D打印构件的变形灵活性和均匀加热效果。
翟明龙常虎东孙兵刘洪刚
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一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场...
刘洪刚李跃王盛凯龚著靖常虎东孙兵
一种超导纳米线结构及其制备方法
本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法，其中，本发明利用自下而上的方式，采用侧墙技术，提供了一种超导纳米线结构的制备方法，包括：在衬底上沉积牺牲层，去除部分牺牲层和部分衬底，形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层和多个...
孙兵刘建华刘洪刚常虎东翟明龙
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一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
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MOS-HEMT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所...
刘洪刚卢力常虎东孙兵
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一种LTE高效射频功率放大器
本实用新型公开了一种LTE高效射频功率放大器，包括输入网络、稳定网络、晶体管、偏置网络以及输出网络；所述输入网络包括采用共轭匹配方式连接的第三匹配电容C3和第三匹配电感L3；所述稳定网络包括串联连接的第一电阻R1、第五电...
刘洪刚周佳辉常虎东
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一种异构集成射频放大器结构
本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半...
常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智
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一种半导体器件参数提取装置及方法
本发明公开了一种半导体器件参数提取装置及方法，涉及微电子集成电路技术领域，该半导体器件参数提取方法包括：用于编写电路网表的电路描述步骤；用于布局测试计划以得到完备数据结果的器件测试步骤；用于从测试计划中提取寄生单元参数和...
刘洪刚刘桂明常虎东周佳辉
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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