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王盛凯: 作品数：139 被引量：10H指数：2; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

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用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置: 一种用于SiC等离子体氧化的微波等离子体发生装置，包括外腔体和设置在所述外腔体内的多个微孔/微纳结构双耦合谐振腔，其中所述谐振腔包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波...; 刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾; 文献传递

一种GaAs(111)晶圆的清洗方法: 本发明公开了一种GaAs(111)晶圆的清洗方法。该方法为：将GaAs(111)衬底用有机溶剂处理以除去表面油污及有机物；然后置于双氧水中浸泡，取出，去离子水清洗后再置于盐酸中浸泡，取出，去离子水清洗；所得GaAs(11...; 李海鸥林子曾曹明民王盛凯刘洪刚李琦肖功利高喜曹卫平; 文献传递

胶囊式驻极体发电机及供能器件: 本发明公开了一种胶囊式驻极体发电机及供能器件，其中，胶囊式驻极体发电机，包括：胶囊式封闭结构，包含：绝缘外壳，以及设置于绝缘外壳两侧的电极或者分别设置于绝缘外壳两侧的单电极和绝缘部；该胶囊式封闭结构具有一内部空间；以及驻...; 王盛凯姚沛林; 文献传递

一种双栅MOSFET结构及其制备方法: 本发明公开了一种双栅MOSFET结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。所述双栅MOSFET结构自下而上为第一栅金属层、III‑V族半导体沟道层、III‑V族半导体源漏层、第二栅金属层，所述第一栅金属层和第二栅金属层构...; 孙兵刘洪刚王盛凯常虎东龚著靖; 文献传递

一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法: 本发明公开了一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法，包括如下步骤：步骤1：清洗砷化镓衬底表面；步骤2：在清洗完成后的所述砷化镓衬底表面沉积阻挡层；步骤3：利用直接离化的氧等离子体或间接离化的氧等离子体处理步骤2获得的衬...; 苏玉玉孙兵刘洪刚王盛凯; 文献传递

碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试系统及其测试方法: 本发明提供了一种碳纳米管薄膜晶体管的缺陷测试方法，其特征在于，包括：利用发光光源模块产生光束；利用监测反馈模块实时监测发光光源模块发射的光束的波长和强度，并反馈至发光光源模块；将发光光源模块发射的光束经分光光纤传输至电学...; 张括王盛凯徐杨

半导体栅结构的微波等离子体后处理方法: 本公开提供一种半导体栅结构的微波等离子体后处理方法，包括：将半导体栅结构置于反应腔内，调节反应腔内微波的输入功率和反应气体的压强，利用微波能量耦合反应气体激发产生等离子体；利用等离子体提供气氛原子在半导体栅结构中扩散所需...; 刘新宇尤楠楠王盛凯

仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法: 本发明公开了一种仿生晶体管结构及其特征时间的控制方法，其中，该仿生晶体管结构包括：背栅介质层；背栅半导体衬底层，叠置在背栅介质层之下；单壁碳纳米管沟道层，叠置在背栅介质层之上；有机薄膜层，叠置在单壁碳纳米管沟道层之上，且...; 周易王盛凯; 文献传递

一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场...; 刘洪刚李跃王盛凯龚著靖常虎东孙兵

InP表面氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体电容界面特性及漏电特性的影响被引量：1: 2016年; 采用原子层沉积系统中自带的等离子体发生器产生N_2等离子体直接处理InP表面,系统地研究了氮化对Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容界面特性及栅漏电特性的影响。实验结果表明,氮化能有效降低界面缺陷密度和边界缺陷密度,抑制InP表面自然氧化物的形成,改善界面质量,提高Al_2O_3/InP MOS电容的电学性能。氮化之后,在Al_2O_3/InP界面会形成一个约为0.8 nm厚的界面层,积累区频散由7.8%降低至3.5%,滞回由130减小至60 mV,界面缺陷密度由5×10^(12)降低至2×10^(12)cm^(-2)·eV^(-1),边界缺陷密度由9×10^(11)降低至5.85×10^(11)V^(-1)cm^(-2),栅漏电流由9×10^(-5)降低至2.5×10^(-7)A/cm^2,这些数据充分证明了采用N_2等离子体直接处理InP表面来钝化Al_2O_3/InP界面的方法是有效的。; 曹明民林子曾王盛凯李琦肖功利高喜刘洪刚李海鸥; 关键词：滞回频散漏电流