刘新宇
- 作品数：846 被引量：288H指数：7
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 氮化镓基垂直器件及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓基垂直器件及其制备方法，该器件包括：氮化镓化合物缓冲层；氮化镓掺杂层，与该氮化镓化合物缓冲层相接触；第一电极，设置与该氮化镓掺杂层相接触；第二电极，设置与该氮化镓化合物缓冲层相接触；以及载板；钝化层...
- 康玄武孙跃刘新宇郑英奎魏珂
- 文献传递
- 基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法
- 一种基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微...
- 刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾
- 文献传递
- 适用于超高速DAC的动态复位双边沿开关驱动电路及方法
- 本发明涉及一种适用于超高速DAC的动态复位双边沿开关驱动电路及方法，属于数据转换器技术领域，解决了传统电流开关驱动电路的共源节点电压波动可能造成的码间串扰，导致输出信号失真、电流舵DAC动态性能降低的问题。该开关驱动电路...
- 李兴周磊吴旦昱武锦刘新宇
- 确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法
- 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温...
- 赵妙刘新宇郑英奎欧阳思华李艳奎
- 文献传递
- 低功耗流水线结构的相位累加器
- 本发明公开了一种低功耗流水线结构相位累加器，摒弃传统结构中通过级联D触发器增加延时的方法，通过改变频率控制字单元中D触发器的时钟信号来调节延时，从而减少频率控制字单元中D触发器数量，降低功耗。对于M级流水线结构的N比特相...
- 陈建武吴旦昱周磊刘新宇武锦金智
- 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
- 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
- 孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
- 基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT被引量：2
- 2006年
- 报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.
- 苏树兵徐安怀刘新宇齐鸣刘训春王润梅
- 关键词：MBE双异质结双极晶体管
- 162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)
- 2006年
- 报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.
- 于进勇严北平苏树兵刘训春王润梅徐安怀齐鸣刘新宇
- 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管自对准
- 应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件
- 报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流...
- 刘果果郑英奎刘新宇魏珂和致经
- 关键词：氮化镓材料高电子迁移率晶体管微波功率器件光学光刻MOCVD
- 文献传递
- SiC衬底的图形化方法
- 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...
- 杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
- 文献传递
