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白云: 作品数：153 被引量：24H指数：3; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项四川省科技计划项目更多>>; 相关领域：电子电信电气工程化学工程自动化与计算机技术更多>>

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基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法: 一种基于微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件的制造方法，包括：在凹槽栅刻蚀后，利用微波等离子体将凹槽栅表面的碳化硅氧化为二氧化硅，形成凹槽栅氧化层，其中形成凹槽栅氧化层的步骤包括：将进行凹槽栅刻蚀后的碳化硅衬底放置在微...; 刘新宇汤益丹王盛凯白云杨成樾; 文献传递

SiC衬底的图形化方法: 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...; 杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇; 文献传递

1200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS器件的研制被引量：1: 2018年; 基于SiC结势垒肖特基（JBS）二极管工作原理及其电流/电场均衡分布理论,采用高温大电流单芯片设计技术及大尺寸芯片加工技术,研制了1 200 V/100 A高温大电流4H-SiC JBS二极管。该器件采用优化的材料结构、有源区结构和终端结构,有效提高了器件的载流子输运能力。测试结果表明,当正向导通压降为1.60 V时,其正向电流密度达247 A/cm^2（以芯片面积计算）。在测试温度25和200℃时,当正向电流为100 A时,正向导通压降分别为1.64和2.50 V;当反向电压为1 200 V时,反向漏电流分别小于50和200μA。动态特性测试结果表明,器件的反向恢复特性良好。器件均通过100次温度循环、168 h的高温高湿高反偏（H3TRB）和高温反偏可靠性试验,显示出优良的鲁棒性。器件的成品率达70%以上。; 汤益丹李诚瞻史晶晶白云白云彭朝阳彭朝阳刘新宇; 关键词：高温大电流密度反向漏电流

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管: 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：源极(1)、栅极(2)、栅氧化层(3)、N+源区(4)、P+接触区(5)、P阱(6)、N‑外延层...; 霍瑞彬申华军白云汤益丹刘新宇; 文献传递

一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法: 本发明公开了一种在SiC材料上生长SiO2钝化层的方法，属于在半导体材料上生长钝化层的技术领域。所述方法包括采用PECVD在SiC材料上生长SiO2钝化层和对SiO2...; 李博申华军白云汤益丹刘焕明周静涛杨成樾; 文献传递

一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法: 本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实...; 杨成樾白云汤益丹陈宏田晓丽王臻星刘新宇; 文献传递

一种宽禁带功率器件场板的制造方法: 本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜...; 刘新宇许恒宇汤益丹蒋浩杰赵玉印申华军白云杨谦; 文献传递

一种场限环结终端结构的优化设计方法: 本发明公开了一种场限环结终端结构的优化设计方法，涉及电力电子器件技术领域，解决了现有技术中场限环结终端结构优化设计较为复杂的问题。该方法包括：确定初始的场限环的环深、环浓度、环宽度和环个数；设定初始的场限环间距分布；将相...; 白云申华军汤益丹杨成樾王弋宇于海龙彭朝阳刘新宇

原子态等离子体形成装置及其应用: 本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体...; 刘新宇尤楠楠王盛凯白云

一种碳化硅双极结型晶体管: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳...; 郭飞申华军汤益丹张有润白云杨成樾宋凌云柏思宇彭朝阳