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金智: 作品数：315 被引量：63H指数：5; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

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一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法: 本发明公开了一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法，包括：对硅片进行清洗；在硅片背面上生长单层氮化硅薄膜；采用湿法腐蚀在硅片正面形成纳米超小绒面结构；浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属；使用激光烧蚀的方法在硅绒面上刻蚀出电...; 贾锐张悦窦丙飞陈晨金智刘新宇; 文献传递

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理被引量：1: 2017年; 对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75keV和200keV质子在量子阱中的投影射程和诱生空位缺陷信息.随着质子能量增加,质子注入深度逐渐增加并最终逃逸出材料层.另外,在异质结附近诱生的空位缺陷个数先增加后减小,且As空位为主要的诱生缺陷.基于解析模型计算了不同能量质子入射下In_(0.52)Al_(0.48)As和In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的非电离能量损失.随着质子能量增加,非电离能量损失先增加后减小,与辐照诱生缺陷密度随能量的变化趋势一致.最后通过辐照陷阱模型验证了诱生缺陷作为受主补偿中心对量子阱二维电子气的俘获作用,确定了非电离能量损失诱生空位缺陷为质子辐照主要的损伤机制.; 王海丽吉慧芳孙树祥丁芃金智魏志超钟英辉李玉晓; 关键词：高电子迁移率晶体管质子辐照空位缺陷

InP基毫米波器件与电路: 毫米波具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用.基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,在规模化应用方面具有很大的优势.毫米波电路对固态电子器件的频率特性提出了非常高的...; 金智苏永波丁芃姚鸿飞宁晓曦张毕禅汪丽丹

一种异构集成射频放大器结构: 本发明公布了一种异构集成射频放大器结构，包括：第一化合物半导体器件、第二化合物半导体器件、第三化合物半导体器件和第四化合物半导体器件；第一硅基PMOS器件和第二硅基PMOS器件；第一硅基PMOS器件的源极连接第三化合物半...; 常虎东孙兵杨枫丁武昌刘洪刚金智; 文献传递

一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法: 本发明公开了一种制备晶体硅双发射极背结背接触太阳能电池的方法，包括:在硅片背面整面硼离子注入形成背面发射区;背面沉积碱腐蚀阻挡层;在背面阻挡层上开出BSF窗口，腐蚀去除BSF窗口处的碱腐蚀阻挡层;碱腐蚀去除背面BSF窗口...; 贾锐邢钊陈晨张巍张代生金智刘新宇; 文献传递

一种石墨烯器件及其制造方法: 本发明公开了一种石墨烯器件结构及其制造方法，所述器件结构包括：石墨烯层；与石墨烯层相接触的栅极区；形成于栅极区两侧的、与石墨烯层相接触的半导体掺杂区，其中所述半导体掺杂区与所述栅极区相互隔离；形成于栅极区上的接触以及形成...; 梁擎擎金智王文武钟汇才刘新宇朱慧珑叶甜春; 文献传递

减小金属与石墨烯接触电阻的方法及石墨烯FET器件: 一种减小金属与石墨烯材料接触电阻的方法及石墨烯FET器件，该方法包括：提供绝缘衬底；在衬底上制备或转移石墨烯材料；在石墨烯上图形化源端和漏端；蒸发一层非常薄的金属层；在薄层金属的掩膜下，对金属下方的石墨烯进行缺陷化处理；...; 金智王少青毛达诚史敬元彭松昂张大勇; 文献传递

一种驱动容性负载的有源下拉电路: 本发明公开了一种驱动容性负载的有源下拉电路，包括：输入单元，连接于驱动单元，用于将输入信号转换为差分信号；驱动单元，连接于延迟单元，用于提供有源驱动电流，并对驱动电流源的电流进行共享和重新分配；以及延迟单元，用于对输出信...; 武锦陈建武吴旦昱周磊刘新宇金智; 文献传递

一种肖特基二极管的制造方法: 本发明公开了一种肖特基二极管的制造方法，涉及二极管技术领域，用于减小肖特基结与N型轻掺杂层之间的接触面积，降低肖特基接触部分的结电容，进而提高肖特基二极管的器件耐压特性，降低肖特基二极管在超高频的工作环境下击穿的风险。所...; 穆成星周静涛金智苏永波韩超蒋文静刘志成武楠

一种石墨烯/砷化镓太阳电池: 本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减...; 贾锐桂羊羊孙恒超陶科戴小宛金智刘新宇; 文献传递