魏珂
- 作品数：222 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 氮化镓基垂直器件及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓基垂直器件及其制备方法，该器件包括：氮化镓化合物缓冲层；氮化镓掺杂层，与该氮化镓化合物缓冲层相接触；第一电极，设置与该氮化镓掺杂层相接触；第二电极，设置与该氮化镓化合物缓冲层相接触；以及载板；钝化层...
- 康玄武孙跃刘新宇郑英奎魏珂
- 文献传递
- 一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
- 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
- 孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
- 应用于X波段的0.8 m栅长AlGaN/GaN HEMT功率器件
- 报道了在蓝宝石衬底上采用MOCVD外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构,实现了栅宽为1.2 mm的微波功率管.其栅长为0.8 μ m,采用光学光刻技术实现,在工艺过程中,引入了源场板的结构.测试表明,该器件输出电流...
- 刘果果郑英奎刘新宇魏珂和致经
- 关键词：氮化镓材料高电子迁移率晶体管微波功率器件光学光刻
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- 一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
- 本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...
- 赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华
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- 一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法
- 本发明公开了一种GaN基增强型功率电子器件及其制备方法，GaN基增强型功率电子器件包括：衬底；形成于衬底之上的薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构；以及形成于薄势垒Al(In，Ga)N/GaN异质结构之上的栅极、源...
- 黄森刘新宇王鑫华魏珂
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- 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
- 本发明涉及半导体技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au的欧姆接触系统。新型结构的欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Pt/Au，欧姆接触系统在680℃－76...
- 魏珂和致经刘新宇刘健吴德馨
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- SiC衬底的减薄方法
- 本发明公开了一种SiC衬底的减薄方法，其包括匀光刻胶，保护表面制备完成的基于SiC衬底的AlGaN/GaNHEMT器件；将所述器件背面向上，将器件用蜡粘贴在托片上；将粘贴在所述托片上的器件放进ICP刻蚀机腔体进行刻蚀。根...
- 魏珂黄俊刘果果李诚瞻刘新宇
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- 蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：4
- 2004年
- 基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。
- 邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨
- 关键词：ALGAN/GANHEMT微波功率
- 监控栅槽刻蚀的方法
- 本发明公开了一种监控栅槽刻蚀的方法，包括：在制备实际凹栅槽器件的同时，制备至少两个源/漏区结构参数相同的参考凹栅槽器件，至少有两个参考凹栅槽器件的栅长尺寸位于实际凹栅槽器件栅长尺寸的两侧；测试获得至少两个参考凹栅槽器件的...
- 魏珂郑英奎刘新宇刘果果彭明曾
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- 一种紧凑型Doherty功率放大器
- 本发明涉及一种紧凑型Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器工作效率较低且电路增益较小的问题。Doherty功率放大器包括：驱动功率放大电路，连接在功分器的输入端；载波功...
- 周兴达刘果果袁婷婷魏珂刘新宇陈晓娟郑英奎
