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刘洪刚

作品数：183 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 170篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 42篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 61篇半导体
  • 34篇沟道
  • 33篇衬底
  • 28篇迁移率
  • 22篇纳米
  • 20篇迁移
  • 19篇电路
  • 19篇半导体器件
  • 16篇纳米线
  • 16篇界面态
  • 16篇键合
  • 16篇硅基
  • 15篇态密度
  • 15篇界面态密度
  • 15篇晶体管
  • 14篇III-V族
  • 13篇电阻
  • 11篇异构
  • 11篇势垒
  • 10篇晶圆

机构

  • 174篇中国科学院微...
  • 11篇桂林电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 183篇刘洪刚
  • 119篇常虎东
  • 117篇孙兵
  • 81篇王盛凯
  • 35篇赵威
  • 22篇刘新宇
  • 19篇薛百清
  • 16篇金智
  • 15篇王虹
  • 13篇卢力
  • 12篇韩乐
  • 12篇刘桂明
  • 11篇李琦
  • 11篇吴德馨
  • 11篇李海鸥
  • 9篇赵妙
  • 8篇肖功利
  • 8篇苏永波
  • 7篇张法碧
  • 7篇高喜

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇焊接学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇湖南大学学报...
  • 1篇稀有金属与硬...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇科学技术与工...
  • 1篇科技创新导报

年份

  • 3篇2023
  • 6篇2022
  • 9篇2021
  • 11篇2020
  • 22篇2019
  • 9篇2018
  • 24篇2017
  • 14篇2016
  • 14篇2015
  • 27篇2014
  • 19篇2013
  • 16篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2004
  • 2篇2003
共 183 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体纳米结构和制造方法及其应用
本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单...
刘洪刚刘新宇吴德馨
高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用
本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面控制层的InGaAs MOS 结...
常虎东孙兵卢力刘洪刚
关键词：MOSFET
一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路
本发明公开了一种III-V族MOSFET器件的射频开关电路，该射频开关电路包括一个由GaAs MOSFET构成的自偏置开关电路，该自偏置开关电路是射频信号通路，具有两个直流电压偏置端，每个直流电压偏置端均连接有一个静电保...
刘洪刚杨靖治常虎东刘桂明
文献传递
半导体器件及其制作方法
本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：在体半导体衬底上外延生长宽带隙III-V族化合物半导体层/窄带隙III-V族化合物半导体层/宽带隙III-V族化合物半导体层的叠层结构；在所述叠层结构上形成栅堆叠；在所...
朱慧珑刘洪刚骆志炯梁擎擎
文献传递
一种超导纳米线结构及其制备方法
本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法，其中，本发明利用自下而上的方式，采用侧墙技术，提供了一种超导纳米线结构的制备方法，包括：在衬底上沉积牺牲层，去除部分牺牲层，形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层；在每个剩余部分...
孙兵刘建华刘洪刚常虎东翟明龙
文献传递
硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片
本发明公开了一种硅基光电异质集成方法及硅基光电异质集成芯片，属于光电异质集成技术领域。所述方法包括：在硅晶片上设置硅基无源光子器件作为光信息传输通道；在III-V族晶片中设置CMOS微电子集成电路；在III-V族晶片上通...
刘新宇周静涛申华军张轩雄刘洪刚吴德馨
文献传递
一种外延结构及方法
本发明提供了一种外延结构及方法，包括：衬底；第一掩膜层，位于所述衬底的表面之上，所述第一掩膜层具有至少一个第一开口，以暴露所述衬底的表面；第二掩膜层，位于所述第一掩膜层之上，所述第二掩膜层具有位于第一开口之上且与第一开口...
邓震王桂磊杨涛李俊峰刘洪刚赵超
文献传递
一种高迁移率衬底结构及其制备方法
本发明公开了一种高迁移率衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单...
孙兵刘洪刚
硅基InGaAs沟道双栅COMS器件
本发明提供一种硅基InGaAs沟道双栅COMS器件。本发明采用介质键合方法实现硅基半导体材料与InGaAs沟道双栅CMOS器件的集成，以提高CMOS器件的异构集成度，且双栅结构能够实现器件的低功耗工作，且器件的阈值电压调...
常虎东刘洪刚夏庆贞孙兵王盛凯
一种LTE高效射频功率放大器
本实用新型公开了一种LTE高效射频功率放大器，包括输入网络、稳定网络、晶体管、偏置网络以及输出网络；所述输入网络包括采用共轭匹配方式连接的第三匹配电容C3和第三匹配电感L3；所述稳定网络包括串联连接的第一电阻R1、第五电...
刘洪刚周佳辉常虎东
文献传递
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