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李跃

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇沟道
  • 6篇短沟道
  • 6篇短沟道效应
  • 6篇沟道效应
  • 5篇迁移
  • 5篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇半导体
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇态密度
  • 3篇界面态
  • 3篇界面态密度
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇源区
  • 2篇双栅
  • 2篇字形
  • 2篇字形结构
  • 2篇刻蚀
  • 2篇互联

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇王盛凯
  • 7篇孙兵
  • 7篇刘洪刚
  • 7篇常虎东
  • 7篇李跃
  • 3篇王博
  • 2篇马磊

年份

  • 3篇2019
  • 4篇2017
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法
本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOS...
王盛凯李跃刘洪刚孙兵常虎东龚著靖
文献传递
一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻...
王盛凯李跃刘洪刚马磊孙兵常虎东王博
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一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场...
刘洪刚李跃王盛凯龚著靖常虎东孙兵
一种类Fin结构III-V族半导体场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种类Fin结构III‑V族半导体场效应晶体管。所述晶体管主要包括衬底、氧化层、缓冲层，其中氧化层生长于衬底上并刻蚀有凹槽，缓冲层形成于刻蚀凹槽中且表面凸出于凹槽。本发明公开的类Fin结构III‑V族半导体场...
刘洪刚李跃王盛凯龚著靖常虎东孙兵
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InP基MOSHEMT结构及其制备方法
本发明公开一种InP基MOSHEMT结构及其制备方法，该结构自下而上依次包括：一单晶衬底(101)；在该单晶衬底上表面形成的变In组分In<Sub>x</Sub>Al<Sub>1‑x</Sub>As缓冲层(102)；In...
王盛凯刘洪刚孙兵李跃常虎东王博
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一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种环栅场效应晶体管及其制备方法，制备方法包括：在衬底上形成第一栅介质层、沟道层、第二界面控制层、源漏层和一半导体材料层；刻蚀去除半导体材料层，并在沟道区纵向方向刻蚀形成一凸字形结构，凸出部分刻蚀至第二界面控制层，两侧刻...
王盛凯李跃刘洪刚马磊孙兵常虎东王博
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一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法
本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOS...
王盛凯李跃刘洪刚孙兵常虎东龚著靖
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