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杨修伟

作品数：10 被引量：5H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

领域

  • 16个电子电信
  • 9个自动化与计算...
  • 6个化学工程
  • 4个电气工程
  • 2个理学
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个一般工业技术

主题

  • 15个CCD
  • 12个刻蚀
  • 11个电荷耦合
  • 11个电荷耦合器
  • 11个电荷耦合器件
  • 8个氮化
  • 8个多晶
  • 8个多晶硅
  • 7个氮化硅
  • 7个图像
  • 7个图像传感器
  • 6个低压化学气相...
  • 6个淀积
  • 6个选择比
  • 6个气相淀积
  • 6个微结构
  • 5个氧化硅
  • 5个栅介质
  • 5个沾污
  • 5个小尺寸

机构

  • 15个重庆光电技术...
  • 1个电子科技大学
  • 1个中国人民解放...

资助

  • 1个国家杰出青年...
  • 1个国家重大航天...
  • 1个教育部“新世...
  • 1个中国人民解放...

传媒

  • 16个半导体光电
  • 6个电子科技
  • 6个电子技术（上...
  • 1个光电子．激光
  • 1个半导体情报
  • 1个物理学报
  • 1个红外技术
  • 1个材料导报
  • 1个物理化学学报
  • 1个中国科学（E...
  • 1个传感技术学报
  • 1个光电子技术
  • 1个航天器工程
  • 1个集成电路应用
  • 1个内燃机与配件
  • 1个中国检验检测
  • 1个2004全国...
  • 1个第八届中国微...

地区

  • 15个重庆市
  • 1个江苏省
共 16 条 记 录，以下是 1-10
袁安波
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 光刻 选择比 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向鹏飞
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 选择比 反应离子刻蚀 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建威
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 光刻 选择比 刻蚀 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向华兵
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD LPCVD 表面光电压 氮化硅 电荷耦合器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岳志强
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 刻蚀 成像 反应离子刻蚀 光电探测
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓涛
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 光刻 光刻工艺 ITO薄膜 选择比
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖乃镘
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：电荷耦合器件 CCD 氢化非晶硅薄膜 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曲鹏程
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 电荷耦合器件 选择比 刻蚀 图像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍明娟
供职机构：重庆光电技术研究所
研究主题：CCD 穿刺 铝 金属化 接触孔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘晓琴
供职机构：中国人民解放军
研究主题：LINBO3 LINBO 光通信 调制器 偏置点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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