您的位置： 专家智库 > >

王虹

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

  • 8个电子电信
  • 5个金属学及工艺
  • 5个轻工技术与工...
  • 4个自动化与计算...
  • 4个航空宇航科学...
  • 4个一般工业技术
  • 4个理学
  • 3个文化科学
  • 1个化学工程
  • 1个电气工程
  • 1个医药卫生

主题

  • 10个阻挡层
  • 9个低温退火
  • 9个氧化锗
  • 9个势垒
  • 9个退火
  • 9个浅结
  • 9个难熔金属
  • 9个金属
  • 7个单晶
  • 7个电阻
  • 6个单晶硅
  • 5个氮化
  • 5个氮化物
  • 5个氮气
  • 5个低K介质
  • 5个电极
  • 5个电路
  • 4个单片
  • 4个单片集成
  • 4个单芯片

机构

  • 11个中国科学院微...
  • 3个桂林电子科技...

资助

  • 7个国家科技重大...
  • 6个国家重点基础...
  • 5个国家自然科学...
  • 3个广西壮族自治...
  • 2个国家高技术研...
  • 2个中国博士后科...
  • 2个电子薄膜与集...
  • 1个北京市自然科...
  • 1个嘉兴市科技计...
  • 1个中国科学院知...

传媒

  • 6个物理学报
  • 4个第5届海内外...
  • 3个湖南大学学报...
  • 3个真空科学与技...
  • 2个焊接学报
  • 2个稀有金属与硬...
  • 2个半导体光电
  • 2个科学技术与工...
  • 1个半导体技术
  • 1个太阳能学报
  • 1个Journa...
  • 1个电子学报
  • 1个压电与声光
  • 1个电子元件与材...
  • 1个中南大学学报...
  • 1个科技创新导报

地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
刘洪刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 键合 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：模型参数 III-V族 锗 N型半导体 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周仁杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：低噪声放大器 超低功耗 ETC 亚阈值 唤醒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0