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王虹

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

领域

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  • 1个电气工程
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主题

  • 10个阻挡层
  • 9个低温退火
  • 9个氧化锗
  • 9个势垒
  • 9个退火
  • 9个浅结
  • 9个难熔金属
  • 9个金属
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 10个北京市
  • 1个广西
共 11 条 记 录，以下是 1-10
刘洪刚
供职机构：桂林电子科技大学
研究主题：沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛百清
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘桂明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：模型参数 III-V族 锗 N型半导体 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周仁杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：低噪声放大器 放大器设计 超低功耗 ETC 亚阈值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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