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薛百清

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

主题

  • 7篇衬底
  • 5篇纳米
  • 5篇晶体
  • 5篇半导体
  • 5篇锗
  • 5篇III-V族
  • 4篇禁带
  • 4篇晶体管
  • 4篇沟道
  • 4篇光子
  • 4篇光子禁带
  • 4篇光子晶体
  • 4篇硅基
  • 4篇二维光子
  • 4篇二维光子晶体
  • 3篇单晶
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化锗
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率

机构

  • 19篇中国科学院微...

作者

  • 19篇薛百清
  • 19篇刘洪刚
  • 15篇常虎东
  • 13篇王盛凯
  • 11篇孙兵
  • 11篇王虹
  • 7篇韩乐
  • 6篇卢力
  • 6篇赵威
  • 5篇郭浩
  • 4篇陈洪钧
  • 4篇张雄
  • 2篇刘桂明

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法
本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...
刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明
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一种制作结晶态高K栅介质材料的方法
本发明公开了一种制作结晶态高K栅介质材料的方法，该方法包括：在单晶衬底上沉积非晶态高K栅介质材料，以及借助于退火工艺将该非晶态高K栅介质材料结晶为结晶态高K栅介质材料；或者在Ge衬底上直接外延生长结晶态高K栅介质材料。本...
刘洪刚薛百清常虎东孙兵王盛凯卢力王虹
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一种硅基锗外延结构及其制备方法
本发明公开了一种基于硅基锗外延的非波导近红外探测器及其制备方法，该非波导近红外探测器包括：n型Si衬底；于该n型Si衬底上沉积的SiO<Sub>2</Sub>层中制备的空气孔型或介质柱型光子晶体；在该光子晶体上形成的Ge...
刘洪刚郭浩陈洪钧张雄常虎东薛百清韩乐王盛凯
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一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管
本发明公开了一种高迁移率III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一单晶衬底，在单晶衬底上形成的缓冲层，在缓冲层中形成的平面掺杂层，在缓冲层上形成的高迁移率沟道层，在高迁移率沟道层上形成的掺杂界面控制层，在掺杂界面控...
刘洪刚常虎东薛百清王虹刘桂明
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一种控制锗纳米微结构尺寸的方法
本发明涉及一种控制锗纳米微结构尺寸的方法，通过热氧化法实现相应纳米微结构尺寸的减小，通过控制氧气分压及反应温度，使锗与氧气反应生成易挥发的一氧化锗，达到控制锗纳米结构尺寸的目的。
王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹
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一种III-V族半导体纳米线晶体管器件及其制作方法
本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟...
刘洪刚常虎东王虹薛百清
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源漏自对准的MOS器件及其制作方法
本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆...
刘洪刚常虎东卢力王虹薛百清孙兵
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一种绝缘体上锗衬底的减薄方法
本发明涉及一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法，所述衬底结构包括单晶衬底、阻挡层、锗层，阻挡层置于单晶衬底之上，极薄锗层置于阻挡层之上，该方法通过向锗衬底上沉积二氧化锗，加热锗使之与二氧化锗在真空或者保护气氛中发生反应，生成...
王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹
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一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管
本发明公开了一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V半导体缓冲层；在该III-V半导体缓冲层上形成的第一欧姆接触层；在该第一欧姆接触层上形成的第一高迁移率半导体沟道...
刘洪刚常虎东薛百清王虹
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一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法
本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延...
刘洪刚韩乐薛百清孙兵王盛凯
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