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王虹

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇III-V族
  • 6篇半导体
  • 5篇纳米
  • 4篇晶体管
  • 4篇沟道
  • 3篇电阻
  • 3篇氧化锗
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率
  • 3篇纳米线
  • 3篇界面态
  • 3篇寄生电阻
  • 3篇半导体纳米线
  • 3篇锗
  • 3篇III-V族...
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 3篇衬底
  • 2篇氧气

机构

  • 15篇中国科学院微...

作者

  • 15篇刘洪刚
  • 15篇王虹
  • 13篇常虎东
  • 11篇薛百清
  • 9篇孙兵
  • 8篇卢力
  • 5篇王盛凯
  • 4篇赵威
  • 2篇刘桂明
  • 1篇韩乐
  • 1篇郭浩
  • 1篇周仁杰

传媒

  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 2篇2015
  • 7篇2013
  • 6篇2012
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件
本发明公开了一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件，包括：一单晶衬底；一在该单晶衬底上表面形成的缓冲层；一在该缓冲层上表面形成的量子阱底部势垒层；一在该量子阱底部势垒层中形成的平面掺杂层；一在该量子阱底部势垒层...
刘洪刚常虎东卢力薛百清王虹孙兵
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一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管
本发明公开了一种III-V族半导体纳米线阵列场效应晶体管，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V半导体缓冲层；在该III-V半导体缓冲层上形成的第一欧姆接触层；在该第一欧姆接触层上形成的第一高迁移率半导体沟道...
刘洪刚常虎东薛百清王虹
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一种III-V族半导体镍金属化制造方法
本发明公开了一种III-V族半导体镍金属化制造方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之...
刘洪刚王虹卢力常虎东孙兵
一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法
本发明公开了一种在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体衬底制作超浅结的方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层用硫化铵或其他液体的表面钝化，在该钝化表面沉积介质作为阻挡层，以借助低温退火工艺将硫或其他元素扩散到单晶衬底以形成超浅结...
刘洪刚薛百清常虎东王盛凯孙兵赵威郭浩王虹韩乐刘桂明
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一种制作结晶态高K栅介质材料的方法
本发明公开了一种制作结晶态高K栅介质材料的方法，该方法包括：在单晶衬底上沉积非晶态高K栅介质材料，以及借助于退火工艺将该非晶态高K栅介质材料结晶为结晶态高K栅介质材料；或者在Ge衬底上直接外延生长结晶态高K栅介质材料。本...
刘洪刚薛百清常虎东孙兵王盛凯卢力王虹
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一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计
2013年
基于WIN InGaP/GaAsHBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路。芯片版图面积为1410×785μm2,电源电压为3.4V。仿真结果显示:功率增益大于30.1dB、1dB压缩点输出功率为31.2dB.m,在Band38(2570～2620)MHz内,输入回波损耗S11小于-15dB,S21大于30.1dB,输出回波损耗S22低于-25dB,1dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6%。
王虹周仁杰刘洪刚
关键词：LTEINGAP功率增益功率附加效率
一种高迁移率III-V族半导体MOS场效应晶体管
本发明公开了一种高迁移率III-V族金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一单晶衬底，在单晶衬底上形成的缓冲层，在缓冲层中形成的平面掺杂层，在缓冲层上形成的高迁移率沟道层，在高迁移率沟道层上形成的掺杂界面控制层，在掺杂界面控...
刘洪刚常虎东薛百清王虹刘桂明
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一种控制锗纳米微结构尺寸的方法
本发明涉及一种控制锗纳米微结构尺寸的方法，通过热氧化法实现相应纳米微结构尺寸的减小，通过控制氧气分压及反应温度，使锗与氧气反应生成易挥发的一氧化锗，达到控制锗纳米结构尺寸的目的。
王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹
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一种III-V族半导体纳米线晶体管器件及其制作方法
本发明公开了一种III-V族半导体纳米线晶体管器件，包括：单晶衬底层；在该单晶衬底层上形成的III-V族半导体缓冲层；在该III-V族半导体缓冲层上形成的底部欧姆接触层；在该底部欧姆接触层上形成的III-V族半导体复合沟...
刘洪刚常虎东王虹薛百清
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源漏自对准的MOS器件及其制作方法
本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆...
刘洪刚常虎东卢力王虹薛百清孙兵
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