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卢力

作品数：13 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信航空宇航科学技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇半导体
  • 4篇势垒
  • 4篇迁移率
  • 4篇III-V族
  • 3篇氧化锗
  • 3篇界面态
  • 3篇沟道
  • 3篇锗
  • 3篇III-V族...
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇氧气
  • 2篇异质结
  • 2篇制作方法
  • 2篇态密度
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇迁移
  • 2篇热氧化
  • 2篇微结构
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米微结构

机构

  • 13篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 13篇卢力
  • 13篇孙兵
  • 13篇刘洪刚
  • 13篇常虎东
  • 8篇王虹
  • 6篇薛百清
  • 5篇王盛凯
  • 4篇赵威

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高K介质/InGaAs界面工程在金属氧化物半导体场效应晶体管中的应用
本文提出了一种新型InP 界面控制层技术来降低高K 介质/InGaAs MOS 结构的界面态密度。通过 系统地研究多种表面化学清洗和热处理工艺条件对MOS界面态的影响，采用新型InP 界面控制层的InGaAs MOS 结...
常虎东孙兵卢力刘洪刚
关键词：MOSFET
一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件
本发明公开了一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件，包括：一单晶衬底；一在该单晶衬底上表面形成的缓冲层；一在该缓冲层上表面形成的量子阱底部势垒层；一在该量子阱底部势垒层中形成的平面掺杂层；一在该量子阱底部势垒层...
刘洪刚常虎东卢力薛百清王虹孙兵
文献传递
一种制作结晶态高K栅介质材料的方法
本发明公开了一种制作结晶态高K栅介质材料的方法，该方法包括：在单晶衬底上沉积非晶态高K栅介质材料，以及借助于退火工艺将该非晶态高K栅介质材料结晶为结晶态高K栅介质材料；或者在Ge衬底上直接外延生长结晶态高K栅介质材料。本...
刘洪刚薛百清常虎东孙兵王盛凯卢力王虹
文献传递
一种控制锗纳米微结构尺寸的方法
本发明涉及一种控制锗纳米微结构尺寸的方法，通过热氧化法实现相应纳米微结构尺寸的减小，通过控制氧气分压及反应温度，使锗与氧气反应生成易挥发的一氧化锗，达到控制锗纳米结构尺寸的目的。
王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹
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源漏自对准的MOS器件及其制作方法
本发明公开了一种源漏自对准的MOS器件及其制作方法，该源漏自对准的MOS器件包括：单晶衬底层；在该单晶衬底上形成的III-V半导体层；在该III-V半导体层上形成的欧姆接触层；在该欧姆接触层上形成的低K介质层；刻蚀该欧姆...
刘洪刚常虎东卢力王虹薛百清孙兵
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一种III-V族半导体镍金属化制造方法
本发明公开了一种III-V族半导体镍金属化制造方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之...
刘洪刚王虹卢力常虎东孙兵
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一种绝缘体上锗衬底的减薄方法
本发明涉及一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法，所述衬底结构包括单晶衬底、阻挡层、锗层，阻挡层置于单晶衬底之上，极薄锗层置于阻挡层之上，该方法通过向锗衬底上沉积二氧化锗，加热锗使之与二氧化锗在真空或者保护气氛中发生反应，生成...
王盛凯刘洪刚孙兵薛百清常虎东赵威卢力王虹
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MOS-HEMT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所...
刘洪刚卢力常虎东孙兵
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一种III-V族半导体镍金属化制造方法
本发明公开了一种III-V族半导体镍金属化制造方法，包括：清洗具有外延层的单晶衬底；在该外延层上淀积栅介质层，在该栅介质层上淀积栅金属层；在未被栅介质层及栅金属层覆盖的该外延层之上、栅介质层及栅金属层的侧壁以及栅金属层之...
刘洪刚王虹卢力常虎东孙兵
MOS-HEMT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种MOS-HEMT器件及其制作方法。所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所...
刘洪刚卢力常虎东孙兵
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