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吴振兴

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共 11 条 记 录，以下是 1-10
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱阳军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT IGBT器件 集电极 绝缘栅双极晶体管 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 绝缘栅双极晶体管 元胞 闩锁 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 闩锁 IGBT器件 槽栅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
左小珍
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：元胞 绝缘栅双极晶体管 槽栅 IGBT 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张文亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 集电极 掺杂 集电区 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈宏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 衬底 SIC 沟槽 源极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 集成电路 栅氧化层 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彦飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：外延层 功率VDMOS器件 氧化层 功率器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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