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孙宝刚

作品数：23 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 8篇双极晶体管
  • 8篇闩锁
  • 8篇晶体管
  • 7篇绝缘栅
  • 7篇绝缘栅双极晶...
  • 7篇沟道
  • 6篇IGBT器件
  • 6篇槽栅
  • 5篇电阻
  • 4篇导电类型
  • 4篇漂移
  • 4篇浅结
  • 4篇阈值电压
  • 4篇接触电阻
  • 4篇衬底
  • 4篇触电
  • 3篇电流
  • 3篇元胞
  • 3篇发射极
  • 3篇SOI

机构

  • 23篇中国科学院微...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 23篇孙宝刚
  • 15篇卢烁今
  • 15篇朱阳军
  • 11篇赵佳
  • 8篇吴振兴
  • 7篇左小珍
  • 4篇韩郑生
  • 4篇田晓丽
  • 3篇邵红旭
  • 3篇海潮和
  • 2篇侯瑞兵
  • 2篇吴峻峰
  • 2篇李俊峰
  • 2篇程超
  • 2篇周锁京
  • 2篇陈焕章
  • 1篇刘忠立
  • 1篇孙海峰
  • 1篇于雄飞
  • 1篇任红霞

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇微电子学

年份

  • 7篇2015
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2000
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
快恢复二极管制造方法
本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减...
吴振兴孙宝刚朱阳军赵佳卢烁今
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
文献传递
沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳朱阳军卢烁今孙宝刚左小珍
文献传递
IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外...
吴振兴朱阳军卢烁今孙宝刚
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硅膜厚度对0.1μm SOI槽栅NMOS器件特性的影响被引量：3
2006年
SOI技术和槽栅MOS新器件结构是在改善器件特性方面的两大突破,SOI槽栅MOS器件结构能够弥补体硅槽栅MOS器件在驱动能力和亚阈值特性方面的不足,同时也保证了在深亚微米领域的抑制短沟道效应和抗热载流子效应的能力。仿真结果显示硅膜厚度对SOI槽栅MOS器件的阈值电压、亚阈值特性和饱和驱动能力都有较大影响,选择最佳的硅膜厚度是获得较好的器件特性的重要因素。
邵红旭吴峻峰韩郑生孙宝刚
关键词：SOI短沟道效应热载流子效应
高性能栅长27纳米CMOS器件和栅长36纳米CMOS电路
徐秋霞叶甜春韩郑生陈宝钦陈焕章李俊峰侯瑞兵孙宝刚夏洋赵玉印高文芳周锁京丁明正杨雪莹
该器件具有强化氮化氧化栅介质EOT 1.4 nm(Gate Oxide)；横向局域限定的超陡倒掺杂沟道剖面(SSRCD)；31nm超浅高表面浓度S/D延伸区(N/P-ext)；Offset S/D Extension结构...
关键词：
关键词：EOT
微穿通型IGBT器件及其制作方法
本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂...
朱阳军田晓丽孙宝刚卢烁今
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0.1μmSOI槽栅CMOS特性仿真
2005年
邵红旭韩郑生孙宝刚
关键词：短沟道效应热载流子效应
0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性(英文)
2005年
制造了栅长0·1μm,栅氧厚度5·6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1·5V时,其饱和漏电流为380μA ,关态泄漏电流为1·9nA;在Vds=-0·1V下的亚阈值斜率为115 mV/dec ,DIBL因子为70·7 mV/V.实验结果表明,0·1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.
邵红旭孙宝刚吴峻峰钟兴华
关键词：槽栅PMOSFET亚阈值
IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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