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吴振兴

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇中文专利

主题

  • 6篇闩锁
  • 6篇衬底
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
  • 5篇绝缘栅
  • 5篇绝缘栅双极晶...
  • 5篇击穿电压
  • 4篇电阻
  • 4篇栅极
  • 4篇漂移
  • 4篇浅结
  • 4篇终端区
  • 4篇阈值电压
  • 4篇芯片
  • 4篇接触电阻
  • 4篇功率器件
  • 4篇沟道
  • 4篇IGBT器件
  • 4篇场限环
  • 4篇触电

机构

  • 27篇中国科学院微...
  • 7篇江苏中科君芯...
  • 5篇江苏物联网研...
  • 2篇上海联星电子...

作者

  • 27篇吴振兴
  • 20篇卢烁今
  • 20篇朱阳军
  • 12篇田晓丽
  • 10篇赵佳
  • 8篇孙宝刚
  • 6篇左小珍
  • 2篇陈宏
  • 2篇张文亮
  • 2篇陆江
  • 1篇张彦飞
  • 1篇褚为利

年份

  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 6篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
结终端延伸结构及其制造方法
本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区...
田晓丽朱阳军吴振兴卢烁今
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一种功率器件的制备方法
本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N-外延层，然后在N-外...
吴振兴朱阳军田晓丽卢烁今
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IGBT芯片及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极...
陈宏胡少伟卢烁今吴振兴朱阳军
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内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法
一种内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>/Si多量子阱应变超晶格层，在所述Ge<Sub>x</Su...
朱阳军吴振兴田晓丽卢烁今
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FRD的制备方法
本发明公开了一种FRD的制备方法，包括：在N‑型衬底上制备芯片的正面结构；在N‑型衬底上制备芯片的背面结构；将所述芯片正面结构上表面涂抹光刻胶，再将多孔铅金属薄膜掩膜板覆盖在光刻胶上，然后对芯片进行曝光形成多孔铅掩膜板的...
吴振兴朱阳军谈景飞胡爱斌陆江喻巧群陈宏赵佳
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一种带FS层的PT型功率器件的制作方法
本发明涉及制作方法技术领域，公开了一种带FS层的PT型功率器件的制作方法包括：步骤一：制备衬底；步骤二：从衬底外延出第一N型FS层；步骤三：对第一N型FS层进行局域寿命控制；步骤四：重复步骤二和步骤三，从第一N型FS层外...
吴振兴朱阳军胡爱斌卢烁今田晓丽
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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快恢复二极管制造方法
本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减...
吴振兴孙宝刚朱阳军赵佳卢烁今
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一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔...
张文亮朱阳军卢烁今赵佳田晓丽吴振兴
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