卢烁今
- 作品数：55 被引量：24H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- IGBT载流子增强技术发展概述被引量：2
- 2016年
- 发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关键所在。在经历了20多年的发展之后,发射极载流子浓度增强的技术无论从结构和性能上都得到了巨大的提升。概述了IGBT载流子增强技术的发展过程,针对IGBT中的载流子分布,分析了载流子增强技术的物理机制,介绍了传统载流子增强技术所采用的器件结构及实现方法,包括注入增强型绝缘栅双极型晶体管(IEGT),载流子存储层结构的沟槽型双极型晶体管(CSTBT),高导电率IGBT(Hi GT),平面增强结构IGBT,以及最近几年较新型的介质阻挡层IGBT,局部窄台面IGBT,p型埋层CSTBT等。着重讨论了每种器件的结构特点以及性能上的改善。载流子增强技术将是新一代IGBT器件设计的一个主要技术手段。
- 沈千行张须坤张广银杨飞谭骥田晓丽卢烁今朱阳军
- 关键词：载流子通态压降
- 快恢复二极管制造方法
- 本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减...
- 吴振兴孙宝刚朱阳军赵佳卢烁今
- 文献传递
- 一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔...
- 张文亮朱阳军卢烁今赵佳田晓丽吴振兴
- 文献传递
- 绝缘栅双极晶体管及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
- 孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
- 文献传递
- 沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
- 赵佳朱阳军卢烁今孙宝刚左小珍
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- IGBT器件及其制作方法
- 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于本体层表面内的阱区和源区以及位于本体层表面上的第一栅介质层和栅区；去除部分阱区和源区材料，保留栅区下方的源区材料和部分栅区之外...
- 吴振兴朱阳军卢烁今孙宝刚
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- 基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统及方法
- 本发明公开了一种基于阈值变化的剂量率远程在线自动测试系统，包括：主控计算机，用于运行图形监控测试程序，向数据采集卡输出主控信号，接收数据采集卡返回的的剂量率测试结果并显示；数据采集卡，用于根据接收自主控计算机的主控信号向...
- 卜建辉刘梦新刘刚卢烁今韩郑生
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- 一种用于62mm功率器件的结电容测试电路及装置
- 本实用新型公开了一种用于62mm功率器件的结电容测试电路，属于功率半导体器件结电容测试装置技术领域。该电路包括两个晶体管单元、电源连接点、低电压电流连接点、地电压连接点、电阻、短路电容、电感、第Ⅰ输入电容、第Ⅰ输出电容、...
- 成星朱阳军陆江卢烁今佘超群高振鹏
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- IGBT器件的短路特性优化设计研究
- 本文研究了IGBT发生短路事件时的器件物理特性,并结合实际的设计优化措施给出了合理的优化设计方案.首先从分析器件理论公式出发,讨论了饱和电流的影响因素,之后重点采用模拟手段仿真分析了不同优化措施的对器件短路特性影响的实际...
- 喻巧群陆江田晓丽卢烁今朱阳军韩郑生
- 关键词：绝缘栅双极晶体管短路特性优化设计
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- 晶体管红外热像图的热谱分析方法被引量：8
- 2005年
- 使用自编的分析软件,根据比色法对所摄取的晶体管红外热像图进行了热谱分析,给出了晶体管发射区热谱和发射区一维温度分布曲线.一维温度分布曲线给出了整个发射区的结温分布情况,并可直接读取发射区的峰值结温和最低结温,还可以计算出平均结温.晶体管热谱是表示晶体管结温不均匀性的一种与热像图不同的新方法.
- 朱阳军苗庆海张兴华卢烁今
- 关键词：峰值结温红外热像图
