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朱阳军

作品数：125 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 117篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 31篇IGBT
  • 22篇集电极
  • 22篇半导体
  • 22篇IGBT器件
  • 19篇晶体管
  • 18篇绝缘栅
  • 17篇半导体器件
  • 17篇衬底
  • 15篇双极晶体管
  • 15篇绝缘栅双极晶...
  • 13篇功率器件
  • 12篇导电类型
  • 11篇芯片
  • 10篇电阻
  • 10篇栅极
  • 10篇漂移
  • 10篇发射区
  • 9篇闩锁
  • 9篇功率半导体
  • 9篇功率半导体器...

机构

  • 125篇中国科学院微...
  • 62篇江苏中科君芯...
  • 35篇江苏物联网研...
  • 30篇上海联星电子...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 125篇朱阳军
  • 42篇卢烁今
  • 20篇田晓丽
  • 20篇吴振兴
  • 17篇陆江
  • 16篇赵佳
  • 15篇孙宝刚
  • 10篇左小珍
  • 10篇王波
  • 8篇张文亮
  • 7篇胡爱斌
  • 6篇成星
  • 6篇褚为利
  • 6篇高振鹏
  • 6篇谈景飞
  • 5篇王任卿
  • 5篇董少华
  • 4篇陈宏
  • 3篇苏江
  • 3篇滕渊

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇传感器世界
  • 1篇物理学报
  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2019
  • 5篇2018
  • 9篇2017
  • 10篇2016
  • 22篇2015
  • 34篇2014
  • 28篇2013
  • 11篇2012
  • 1篇2007
共 125 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件，该IGBT器件的N型基极区背面的依次设置有第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，其中所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极...
胡爱斌朱阳军卢烁今王波吴振兴田晓丽赵佳陆江
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微穿通型IGBT器件及其制作方法
本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂...
朱阳军田晓丽孙宝刚卢烁今
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一种IGBT及其制作方法
本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上...
谈景飞朱阳军胡爱斌张文亮王波
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绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法。该所述终端保护结构包括：漂移区；位于漂移区内的终端保护结构；其中，所述终端保护结构包括：主结、截止环及位于所述主结与截止环之间的分压沟槽。本发明所提供的绝缘栅双极晶...
朱阳军田晓丽卢烁今吴振兴
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一种新颖的测量器件结温分布的电学方法
使用电学方法测量半导体器件的结温分布，几十年来一直是微电子领域的一个世界性的科教难题。本文提出了一种崭新的测量器件结温分布的电学方法，即晶体管热谱分析方法。不同于传统测试方法中使用的单一测量电流，热谱分析方法通过多阶梯恒...
朱阳军苗庆海Yuan Miao张兴华韩郑生卢烁今
关键词：半导体器件
一种TI‑IGBT器件
一种TI‑IGBT器件，包括器件衬底，所述衬底的正面为MOS元胞，所述衬底的反面为集电极金属，所述器件衬底为所述器件的N<Sup>‑</Sup>漂移区，在所述N<Sup>‑</Sup>漂移区下方设有N<Sup>+</Su...
张文亮朱阳军田晓丽喻巧群
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半导体器件、PIN二极管和IGBT的制作方法
本发明提供一种半导体器件的制作方法，同时还提供了PIN二极管的制作方法以及IGBT的制作方法，所述半导体器件的制作方法包括提供多个半导体衬底；对需进行少子寿命控制的半导体衬底上的功能区进行少子寿命控制处理；采用键合工艺将...
张文亮朱阳军陆江田晓丽卢烁今
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超结的制作方法
一种超结的制作方法，包括：提供一轻掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成P型重掺杂区或N型重掺杂区，退火处理；或提供第一类型重掺杂衬底，采用嬗变掺杂工艺形成第二类型重掺杂区，退火处理。本申请所提供的超结的制作方法简化了制作流程，...
朱阳军张文亮田晓丽胡爱斌
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IGBT芯片及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极...
陈宏胡少伟卢烁今吴振兴朱阳军
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功率半导体器件的背面集电极结构
本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质...
陈宏朱阳军邱颖斌徐承福吴凯
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