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赵佳

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

主题

  • 8篇IGBT
  • 7篇电流
  • 7篇双极晶体管
  • 7篇晶体管
  • 7篇绝缘栅
  • 7篇绝缘栅双极晶...
  • 6篇元胞
  • 6篇闩锁
  • 4篇淀积
  • 4篇多晶
  • 4篇漂移区
  • 4篇终端区
  • 4篇硅表面
  • 4篇版图
  • 4篇槽栅
  • 4篇衬底
  • 3篇电流密度
  • 3篇电阻
  • 3篇短路
  • 3篇多晶硅

机构

  • 23篇中国科学院微...
  • 7篇江苏中科君芯...
  • 4篇上海联星电子...
  • 3篇江苏物联网研...

作者

  • 23篇赵佳
  • 16篇卢烁今
  • 16篇朱阳军
  • 11篇孙宝刚
  • 10篇左小珍
  • 10篇吴振兴
  • 6篇田晓丽
  • 2篇张文亮
  • 2篇陆江

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
快恢复二极管制造方法
本发明实施例公开了一种快恢复二极管制造方法，该方法包括：提供一N+衬底和一N-衬底；在所述N+衬底的正面外延一N型层作为FS层；使所述FS层的表面与N-衬底的一个表面通过键合的方式连接起来；对所述N-衬底进行减薄，并在减...
吴振兴孙宝刚朱阳军赵佳卢烁今
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一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔...
张文亮朱阳军卢烁今赵佳田晓丽吴振兴
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
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沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述沟槽栅型绝缘栅双极晶体管包括：漂移区；位于漂移区正面内的有效基区；位于漂移区正面内、有效基区两侧的沟槽栅；其中，所述沟槽栅包括：与有效基区相邻的有效沟槽栅和...
赵佳朱阳军卢烁今孙宝刚左小珍
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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绝缘栅双极晶体管
本实用新型公开了一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管的元胞结构呈正六角形形状或正方形形状。本实用新型所提供的绝缘栅双极晶体管，由于其元胞结构呈正六角形形状或正方形形状，因此，单位元胞内垂直导电沟道区的面积占单位元胞...
赵佳朱阳军孙宝刚卢烁今左小珍
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一种IGBT版图
本实用新型公开了一种IGBT版图，包括元胞区、位于所述元胞区周围的终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点，所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同，所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置，所述栅极压焊点均匀分布在所述源极...
赵佳朱阳军左小珍田晓丽胡爱斌
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绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明实施例公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法。所述绝缘栅双极晶体管制作方法包括：采用轻掺杂的硅衬底作为漂移区；在所述漂移区内形成基区和沟槽栅区，所述基区位于所述沟槽栅区的两侧，且所述沟槽栅区的深度大于所述基区的深度...
孙宝刚左小珍朱阳军卢烁今吴振兴赵佳
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一种沟槽型IGBT结构的制作方法
本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N-型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N-型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积...
赵佳朱阳军胡爱斌卢烁今
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一种沟槽型IGBT结构的制作方法
本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积...
赵佳朱阳军胡爱斌卢烁今
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