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陈志君

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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共 13 条 记 录，以下是 1-10
张峰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：注氧隔离 SOI 高温退火 波导 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永进
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：波导 反应离子刻蚀 制作方法 掺ER 沉积速率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林志浪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：波导 反应离子刻蚀 原位合成 烧结助剂 制作方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖海波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER AL ER 富硅氧化硅 光致发光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昌盛
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺ER ER 富硅氧化硅 光致发光 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程新利
供职机构：苏州科技大学
研究主题：非晶薄膜 极板 敏感元件 谐振电抗器 FE-ZR-B
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金波
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 注氧隔离 SIMON 氧 高温退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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