张昌盛
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究被引量：3
- 2004年
- 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。
- 肖海波张峰张昌盛程新利王永进陈志君林志浪张福民邹世昌
- 关键词：离子束辅助沉积AL2O3薄膜PL谱发光特性
- 离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究
- 通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<'15>cm<'-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,...
- 肖海波张昌盛林志浪陈志君张峰邹世昌
- 关键词：EDWA光致发光
- 文献传递
- 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
- 2004年
- 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。
- 张昌盛肖海波王永进陈志君程新利张峰
- 关键词：ER富硅氧化硅光致发光
- 离子注入掺Er富硅氧化硅材料研究
- Er3+在石英基体材料中受激光致发光的波长大约是1540nm，这个波长是石英光纤的最小损耗窗口，因而是以石英光纤为基础的光通讯的标准波长之一。掺铒光纤放大器(EDFA)作为获得光增益的媒质是光纤通讯系统中极其重要的组成部...
- 张昌盛
- 关键词：离子注入富硅氧化硅光纤通讯系统固体电子学微电子学
- 文献传递
