张峰
- 作品数：37 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划上海市科学技术发展基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>
- 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
- 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的...
- 陈志君张峰张正选
- 文献传递
- 结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
- 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各...
- 林志浪张峰王永进程新利曹共柏
- 文献传递
- 具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法
- 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下...
- 王学良张峰叶斐赵常盛王曦
- 低功耗电路设计分析优化方法及嵌入式SOI DRAM结构的设计
- 俞跃辉黎传礼张峰陈可炜李文钧宋朝瑞
- 该项目建立了一套有效的新功耗建模、估计和优化的方法学。对低功耗CMOS集成电路的设计技术进行了深入的研究。研究表明，将集成电路低功耗设计优化学的方法应用到集成电路的设计过程当中去，可以避免设计者反复验证系统的功耗和性能，...
- 关键词：
- 关键词：SOIDRAM低功耗嵌入式
- 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
- 本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的...
- 陈志君张峰张正选
- 文献传递
- 超紧凑型SOI基3×3 MMI波导光开关的优化设计被引量：2
- 2005年
- 提出一种基于SOI材料的超紧凑型3×3 MMI波导光开关,开关仅有一个多模波导,且多模波导采用更为紧凑的双曲结构。用FD-BPM方法对其各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参数进行了优化设计。结果表明,这种光开关可以成功实现任意两输入和输出通道间的开关功能,优化后的开关呈现优良的综合性能,且整个器件的尺寸小于4 mm。
- 贾晓玲高凡张峰
- 关键词：多模干涉耦合器光开关SOI双曲结构
- 基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
- 本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)离子注入的能...
- 陈志君张峰
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- 新型SOI基3×3多模干涉波导光开关的优化设计被引量：12
- 2005年
- 提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。采用有限差分光束传播法(FD-BPM)方法对开关的各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参量进行了优化设计,采用优化后的结构参量,开关可实现的最大消光比达到-17.27 dB。
- 贾晓玲高凡张峰
- 关键词：集成光学多模干涉耦合器光开关SOI全光网络
- 紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
- 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
- 林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
- 文献传递
- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词：注氧隔离
