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林志浪

作品数:23 被引量:15H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信化学工程冶金工程理学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇波导
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光波
  • 4篇合金
  • 4篇反应离子
  • 4篇反应离子刻蚀
  • 3篇原位合成
  • 3篇载流子
  • 3篇制作方法
  • 3篇烧结助剂
  • 3篇陶瓷
  • 3篇光学
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇氮化铝陶瓷
  • 2篇低损耗
  • 2篇调制

机构

  • 19篇中国科学院
  • 8篇北京工业大学

作者

  • 23篇林志浪
  • 14篇张峰
  • 10篇王永进
  • 10篇程新利
  • 6篇王群
  • 6篇周美玲
  • 5篇曹共柏
  • 4篇肖海波
  • 4篇陈志君
  • 3篇邹世昌
  • 3篇郑新和
  • 2篇王曦
  • 2篇陈猛
  • 2篇张昌盛
  • 2篇董业民
  • 1篇毛倩瑾
  • 1篇张福民
  • 1篇杨东升

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇科技开发动态
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技通讯(上...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 9篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
  • 3篇2000
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法,其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器,极大地缩小了器件结构的长度,克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
文献传递
多功能高温实验炉
材料等实验设备领域的多功能高温实验炉,主要有计算机、炉管、炉壳及耐火砖构成的主反应室;有至少两路气路,调压阀,流量计,压力表,换向阀,干燥管和脱氧管构成的气体控制柜;真空泵构成的真空装置;电子天平构成的质量测量器;温控仪...
王群杨东升林志浪毛倩瑾周美玲
文献传递
结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法,包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导,其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料,每条调制波导有各自独立的载流子注入区域,调制波导之间的连接通过利用硅的各...
林志浪张峰王永进程新利曹共柏
文献传递
双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于:具有双埋层结构,下埋层为连续的绝缘埋层,上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域,顶层硅的厚度为0.05~0.4μm,而在不存在上...
林志浪张峰程新利董业民陈猛王曦
文献传递
原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体被引量:8
2001年
以Al Mg和Al Mg Y合金为原料 ,通入高纯度的氮气 ,利用原位合成法制备了AlN粉体及含烧结助剂的复合AlN粉体。合金氮化产物的组织排列疏松 ,有利于粉化。粉化后的AlN粉体纯度较高 ,含氧量为 1.2 3% ,平均粒径为 6 .78μm ,物相为单相AlN ;复合AlN粉体物相组成为AlN主相与稀土钇的氧化物烧结助剂Y2 O3 相。粒径分布曲线呈双峰现象 ,从提高粉体的充填系数角度考虑 。
郑新和王群林志浪周美玲
关键词:稀土原位合成氮化铝集成电路
光波导计算中全矢量-罚项有限元方法新解
2004年
数值求解光波导模式的方法,矢量元方法应用比较普遍,能够消除伪模,但由于矢量元的构造和求解过程比较烦琐,而用传统的节点有限元方法求解全矢量波动方程时,在得到物理模式的同时,也出现了伪模。本文在传统的罚项节点有限元方法的启发下,从麦克斯韦方程组本身的物理意义出发,导出了伪模的产生源,并对传统的罚项做了改正,大大提高了数值解的质量;尽管没有彻底消除伪模,它相对于矢量元方法优越的地方,体现在解(本征值)的精度,模场的特性,和高的数值稳定性等方面。
曹共柏林志浪肖海波张峰
关键词:纤维与波导光学有限元方法
SIMOX大截面单模脊型光波导的研制
2004年
以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损耗小于0.6dB/cm。
林志浪程新利王永进张峰
关键词:SIMOX化学气相沉积脊型光波导集成光学
氮化铝材料的原位合成制备
原位合成技术是一种新型的材料制备技术,该文探索了原位合成技术在AlN材料制备中的应用,利用Al-Mg-Y合金搂化反应成功制备了AlN/SiC陶瓷复合材料和AlN晶须.提出了一种原位合成制备AlN材料的Al合金系的选择标准...
林志浪
关键词:原位合成
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结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法,包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导,其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料,每条调制波导有各自独立的载流子注入区域,调制波导之间的连接通过利用硅的各...
林志浪张峰王永进程新利曹共柏
文献传递
紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法,其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器,极大地缩小了器件结构的长度,克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
文献传递
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