王永进
- 作品数：15 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
- 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各...
- 林志浪张峰王永进程新利曹共柏
- 文献传递
- 紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
- 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
- 林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
- 文献传递
- SOI光波导器件及其增透膜的研究
- 由于其特殊的结构，SOI(Silicon-on-insulator)材料具有优良的光学和电学性能，为超大规模集成电路(VLSI:VeryLargeScaleIntegration)和平面波导技术提供了一个共同的平台。SO...
- 王永进
- 关键词：脊形波导增透膜离子刻蚀散射损耗固体电子学光波导器件
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- 紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法
- 本发明涉及一种紧凑型马赫曾德干涉结构及制作方法，其特征在于采用结构紧凑的T型波导分支器取代传统的马赫曾德干涉结构中所采用的Y型波导分支器，极大地缩小了器件结构的长度，克服了传统器件结构长度长、制作困难的缺点。本结构通过应...
- 林志浪张峰王永进曹共柏陈志君
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- 氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
- 2006年
- 提出一种氧化增强注氧隔离工艺,在退火前氧化得到SiO2层,再进行高温退火得到绝缘体上的硅锗材料。经X射线摇摆曲线和拉曼测试发现所制备的绝缘体上的SiGe材料锗含量没有发生损失,且应变弛豫完全。透射电镜和二次离子质谱分析结果显示样品多层结构清晰,埋氧层质量完好、平整度高、无不连续、无硅岛。研究表明,氧化增加工艺的引入是绝缘体上的硅锗材料锗质量提高的关键。
- 陈志君张峰王永进金波陈静张正选王曦
- 关键词：注氧隔离
- 光集成微环谐振腔的有限元模拟
- 本文首次采用二维有限元方法计算了带缺陷四端口环形谐振腔结构的光场传播过程,并得到了其各端口响应谱图,用数值实验方法观察到了由于简并破坏而导致的谱分裂,并且采用时域和频域相结合的解析方法,分析了其谱分裂特征,以及随各参数的...
- 曹共柏高凡王永进张峰
- 关键词：有限元方法微环谐振腔
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- 结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法
- 本发明涉及一种结构紧凑的载流子吸收型光强度调制器及制作方法，包含输入波导、输出波导、至少两个调制直波导，其特征在于以绝缘层上的硅(SOI)为基材料，每条调制波导有各自独立的载流子注入区域，调制波导之间的连接通过利用硅的各...
- 林志浪张峰王永进程新利曹共柏
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- 表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能被引量：2
- 2006年
- 研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响。研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性。我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功。
- 张继华王永进冯涛于伟东王曦杨传仁
- 关键词：碳纳米管场发射碳化铪
- 一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法
- 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料...
- 张峰程新利林志浪王永进
- 文献传递
- SIMOX大截面单模脊型光波导的研制
- 2004年
- 以注入氧隔离(SIMOX)技术制备的SOI(silicon on insulator)为衬底,利用气相外延生长技术获得了质量良好的厚膜SOI材料,进而通过反应离子刻蚀方法在厚膜SOI材料上成功研制了SIMOX大截面单模脊型光波导。对于波长为1.55μm的光,其传输损耗小于0.6dB/cm。
- 林志浪程新利王永进张峰
- 关键词：SIMOX化学气相沉积脊型光波导集成光学
