肖海波
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 掺Er:Al<,2>O<,3>和掺Er:nc-Si/SiO<,2>材料的制备与表征
- 随着全光网络和光子集成技术的发展,掺铒光波导放大器(EDWA:Er Doped Waveguide Amplifier)作为较新的研究领域,正在受到越来越多科研工作者的重视.该论文采用离子束辅助沉积和离子注入法开展了掺E...
- 肖海波
- 关键词：掺铒波导放大器富硅氧化硅
- 文献传递
- 光波导计算中全矢量-罚项有限元方法新解
- 2004年
- 数值求解光波导模式的方法,矢量元方法应用比较普遍,能够消除伪模,但由于矢量元的构造和求解过程比较烦琐,而用传统的节点有限元方法求解全矢量波动方程时,在得到物理模式的同时,也出现了伪模。本文在传统的罚项节点有限元方法的启发下,从麦克斯韦方程组本身的物理意义出发,导出了伪模的产生源,并对传统的罚项做了改正,大大提高了数值解的质量;尽管没有彻底消除伪模,它相对于矢量元方法优越的地方,体现在解(本征值)的精度,模场的特性,和高的数值稳定性等方面。
- 曹共柏林志浪肖海波张峰
- 关键词：纤维与波导光学有限元方法
- 掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究被引量：3
- 2004年
- 通过离子束辅助沉积(IBAD)在热氧化SiO2上沉积Al2O3薄膜,在120keV下注入5×1015cm-2Er离子,Ar气氛下773～1273K退火1h。低温下测试PL谱线,随退火温度升高,发光强度上升。973K退火下发光强度特别低,并观察到Si衬底的1140nm峰。光透射谱表明几乎在所有的测试范围内尤其在1530nm处973K退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低。1530nm发光强度随退火温度的变化跟发光强度的变化相反。说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al2O3的光吸收损耗有一定关系。
- 肖海波张峰张昌盛程新利王永进陈志君林志浪张福民邹世昌
- 关键词：离子束辅助沉积AL2O3薄膜PL谱发光特性
- 离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究
- 通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<'15>cm<'-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,...
- 肖海波张昌盛林志浪陈志君张峰邹世昌
- 关键词：EDWA光致发光
- 文献传递
- 离子注入制备掺Er富硅氧化硅材料光致发光
- 2004年
- 利用离子注入方法制备了掺Er富硅氧化硅材料,用XRD,TEM方法研究材料微观结构,并测量了样品的光致发光(PL),研究了发光强度随测量温度的变化。试验表明:在1173K以上退火,注入硅集聚,形成φ(2-4)nm的纳米晶硅(nc-Si),纳米晶硅外面包裹非晶硅(a-Si),注入的Er离子分布在非晶硅中。通过非晶硅与硅纳米晶相耦合,非晶硅吸收部分硅纳米晶对Er的激发能量,降低了Er的激发效率;在T>150K时,激发态Er与非晶硅间的能量背迁移降低了Er的发光效率。
- 张昌盛肖海波王永进陈志君程新利张峰
- 关键词：ER富硅氧化硅光致发光
- 光通信用厚膜SOI材料的制备与研究
- 2004年
- 利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。采用Secco液腐蚀、椭圆偏振仪(SE)、扩展电阻(SRP)等技术对材料的性能进行了表征,分析了外延硅层中缺陷产生的主要原因。外延层电阻率纵向分布均匀,其缺陷主要来源于衬底缺陷延伸和表面的不平整。用制备的厚膜SOI材料制作了脊型光波导并完成了光损耗测试实验,得到了传输损耗为0.4dB/cm的波导结构。
- 程新利林志浪王永进肖海波张峰邹世昌
