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艾萱

作品数：5 被引量：9H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨磊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 微波单片集成电路 砷化镓 高集成 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 砷化镓 HBT GAAS_PHEMT MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴健
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 噪声系数 LTCC GAAS_HBT 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
应海涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：功率放大器 GAAS_HBT 插入损耗 LTCC 反射损耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许正荣
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS_MMIC PIN二极管 单片 开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴键
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 频段 砷化镓 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵凯
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 射频开关 微波功率器件 GAAS_PHEMT 手机
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张有涛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP GAAS 超高速 数模转换器 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐光
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：K波段 芯片 微波单片集成电路 砷化镓 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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