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一款用于5 G功率放大器的分段线性温度补偿偏置电路被引量：1: 2019年; 实现了一款用于功率放大器的具有温度补偿特性的偏置电路,首先通过正温度系数(PTAT)电流与负温度系数(NTAT)电流对功率放大器所需的偏置电流进行线性温度补偿,然后在线性补偿的基础上引入分段设计,实现分段线性温度补偿,保证全温范围内功率放大器增益线性化。同时通过分段电流舵型DAC灵活调整偏置电流的大小,将功率放大器偏置在合适工作点的同时降低开关噪声。该偏置电路采用Jazz 0.18μm SOI工艺实现。测试结果表明:在-30~30℃温度区间内,电流补偿斜率为14.9%;在30~90℃温度区间内,电流补偿斜率为29.6%,电流斜率的精度均在1.5%以内;室温下偏置电流的线性调整率为1.4%,输出偏置电流在20.2~1 022.0μA范围内可调。采用该偏置电路的一款功率放大器输出功率典型值为28dBm,误差矢量幅度(EVM)在-30~90℃温度区间内小于3%。; 李亚军李晓鹏李晓鹏蒋东铭张有涛杨磊; 关键词：偏置电路功率放大器温度补偿电流舵

应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器被引量：3: 2015年; 设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM（误差矢量幅度）值小于3%（输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s）,可以满足WLAN应用对线性度的需求。; 何旭郑远朱彦青陈新宇杨磊; 关键词：无线局域网线性功率放大器异质结双极型晶体管误差矢量幅度

移动通信用射频多芯片模块: 2013年; I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。; 许正荣郑远张有涛艾萱陈新宇杨磊; 关键词：多芯片模块数控衰减器高密度封装射频信用

一种用于TDD通信模式的大功率射频开关被引量：3: 2010年; 采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。; 黄贞松杨磊; 关键词：MCM 大功率开关

采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器被引量：9: 2013年; 利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。; 郑远吴键艾萱钱峰陈新宇杨磊; 关键词：低噪声放大器砷化镓微波单片集成电路

26GS／s单bit量化降速芯片被引量：2: 2013年; 基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。; 张有涛李晓鹏张敏陈新宇杨磊; 关键词：D触发器异质结双极晶体管

用于数字相控阵雷达收发组件的0.7~4.0GHz SOI CMOS有源下混频器: 2015年; 基于0.18μm SOI CMOS工艺设计了一款用于数字相控阵雷达的宽带有源下混频器。该混频器集成了射频、本振放大器、Gilbert混频电路、中频放大器以及ESD保护电路。该芯片可以直接差分输出,亦可经过片外balun合成单端信号后输出。射频和本振端口VSWR的测试结果在0.7~4.0GHz范围内均小于2,IF端口的VSWR测试结果在25 MHz^1GHz范围内小于2。当差分输出时,该混频器的功率转换增益为10dB,1dB压缩点输出功率为3.3dBm。电源电压为2.5V,静态电流为64mA,芯片面积仅为1.0mm×0.9mm。; 陈亮陈新宇张有涛杨磊; 关键词：有源混频器宽带

一种高集成射频接收前端被引量：4: 2015年; 采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,尺寸为6.0mm×6.0mm×1.2mm的塑料封装。高集成的射频接收前端可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。; 黄贞松宋艳许庆杨磊; 关键词：氮化铝陶瓷接收前端

K波段低噪声放大器芯片被引量：1: 2015年; 设计一款K波段低噪声放大器芯片，采用0．15μmPHEMT工艺，工作频段：22～23GHz，增益大于17dB，噪声系数小于2．4dB，1dB功率压缩点大于7dBm，输入／输出电压驻波比小于2，偏置电压5V，静态工作电流12mA，具有极低功耗。; 艾萱徐光郑远陈新宇前锋杨磊; 关键词：低噪声放大器砷化镓微波单片集成电路

用于DRFM的4 bit相位量化DAC被引量：1: 2014年; 设计了一种应用于DRFM系统的4bit相位量化DAC,采用非线性的电流舵结构在标准半导体工艺下实现,芯片面积2.1mm×1.4mm,功耗420mW。测试结果显示该DAC瞬时带宽高于1GHz,与4bit相位量化ADC级联测试时,SFDR在工作带宽内小于-20dBc,性能明显优于3bit相位量化DAC。; 张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊; 关键词：相位量化数字射频存储器电流舵

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杨磊