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许庆

作品数：6 被引量：13H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇多芯片
  • 2篇陶瓷
  • 2篇芯片
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇低温共烧陶瓷
  • 1篇低相噪
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电子收费
  • 1篇调制度
  • 1篇多芯片模块
  • 1篇噪声
  • 1篇振幅键控
  • 1篇射频接收
  • 1篇射频接收前端
  • 1篇收发
  • 1篇收发前端

机构

  • 6篇南京电子器件...

作者

  • 6篇许庆
  • 4篇杨磊
  • 3篇黄贞松
  • 2篇曾瑞锋
  • 2篇苗一新
  • 2篇宋艳
  • 1篇吴健
  • 1篇钱峰
  • 1篇戴雷
  • 1篇王子良

传媒

  • 4篇固体电子学研...
  • 2篇电子与封装

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
ETC.RSU收发前端模块设计被引量：5
2013年
设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高。该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的ASK信号调制度30%～100%连续可调,接收动态范围-5～-85dBm,发射功率-4.5～27dBm,步进0.5dB可调,发射频率5 700～5 900MHz,步进1MHz可调。
许庆曾瑞锋苗一新黄贞松
关键词：电子收费振幅键控调制度专用短程通信
一种高集成射频接收前端被引量：4
2015年
采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,尺寸为6.0mm×6.0mm×1.2mm的塑料封装。高集成的射频接收前端可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
黄贞松宋艳许庆杨磊
关键词：氮化铝陶瓷接收前端
S波段小型化宽带低噪声放大器的设计被引量：2
2019年
采用软件计算微带平面电感,描述了一款基于薄膜工艺的小型化宽带低噪声放大器的设计和性能。测试结果表明:在2.7~3.5 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.55 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.1 dB;在2~4 GHz的频段内,低噪声放大器的噪声系数小于等于0.65 dB,增益大于等于33 dB,增益平坦度小于等于±0.8 dB;尺寸为6.0 mm×4.2 mm。
豆刚张海峰向虎许庆
关键词：低噪声小型化宽带
一种C波段低相噪锁相频率源的研制被引量：1
2015年
提出了一种采用同轴介质谐振压控振荡器(CDRVCO)模式的锁相频率源设计方案,利用其低相噪、高Q值和高频率稳定度的优点,通过对锁相源合理的电路设计、仿真与实验,研制了一款C波段低相噪、单点频率为7 850 MHz的频率源。对样品的测试表明该频率源达到了预期的技术指标,测试结果为:工作频率为7 850 MHz时,相位噪声为-96dBc/Hz/1kHz、-98dBc/Hz/10kHz、-120dBc/Hz/100kHz、-143dBc/Hz/1MHz,近端参考杂散抑制>-95dBc。
苗一新曾瑞锋杨磊许庆
关键词：环路滤波器相位噪声
L波段大功率开关的研制被引量：1
2016年
根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 d B,隔离度大于35 d B。
孟向俊杨磊黄贞松宋艳许庆
关键词：多芯片模块大功率开关
LTCC 450 MHz CDMA功放模块的研制
2006年
对LTCC埋层电感进行了研究,以研制体积小、低损耗、微波性能好的高密度功放模块。利用商用三维电磁场分析软件HFSS对LTCC集成化功率放大器PA组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化。研制出450MHzCDMA手机LTCC功率放大器,增益29.0dB,VSWR为2.0∶1,PAE为34%,体积为6mm×6mm×1.2mm。
许庆吴健杨磊钱峰王子良戴雷
关键词：低温共烧陶瓷功率放大模块HFSS
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