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宋艳

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇多芯片
  • 2篇陶瓷
  • 2篇芯片
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇多芯片模块
  • 1篇射频接收
  • 1篇射频接收前端
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基板
  • 1篇接收前端
  • 1篇基板
  • 1篇集成驱动
  • 1篇功率开关
  • 1篇高集成
  • 1篇L波段
  • 1篇大功率
  • 1篇大功率开关

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇许庆
  • 2篇黄贞松
  • 2篇杨磊
  • 2篇宋艳

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种高集成射频接收前端被引量：4
2015年
采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,尺寸为6.0mm×6.0mm×1.2mm的塑料封装。高集成的射频接收前端可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
黄贞松宋艳许庆杨磊
关键词：氮化铝陶瓷接收前端
L波段大功率开关的研制被引量：1
2016年
根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 d B,隔离度大于35 d B。
孟向俊杨磊黄贞松宋艳许庆
关键词：多芯片模块大功率开关
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