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黄贞松

作品数：6 被引量：15H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇氮化
  • 3篇氮化铝
  • 3篇射频接收
  • 3篇陶瓷
  • 3篇接收前端
  • 2篇氮化铝陶瓷
  • 2篇多芯片
  • 2篇射频接收前端
  • 2篇芯片
  • 2篇高集成
  • 2篇MCM
  • 2篇大功率
  • 1篇电子收费
  • 1篇调制度
  • 1篇多芯片模块
  • 1篇振幅键控
  • 1篇射频
  • 1篇砷化镓
  • 1篇收发
  • 1篇收发前端

机构

  • 6篇南京电子器件...

作者

  • 6篇黄贞松
  • 3篇许庆
  • 3篇杨磊
  • 2篇宋艳
  • 1篇曾瑞锋
  • 1篇苗一新
  • 1篇蒋东铭
  • 1篇何旭

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇现代信息科技
  • 1篇电信科学
  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
ETC.RSU收发前端模块设计被引量：5
2013年
设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高。该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的ASK信号调制度30%～100%连续可调,接收动态范围-5～-85dBm,发射功率-4.5～27dBm,步进0.5dB可调,发射频率5 700～5 900MHz,步进1MHz可调。
许庆曾瑞锋苗一新黄贞松
关键词：电子收费振幅键控调制度专用短程通信
一种双通道射频接收前端被引量：2
2017年
本文研究采用SOI(绝缘体上硅)工艺设计开关芯片,砷化镓(Ga As)工艺单片LNA,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率5W,NF小于1.2d B,增益大于30d B,P-1d B大于10d Bm,尺寸为5mm×5mm的QFN封装。双通道射频接收前端可广泛应用于TDD通信系统。
黄贞松蒋东铭匡珩
关键词：砷化镓
一种高集成射频接收前端被引量：4
2015年
采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,尺寸为6.0mm×6.0mm×1.2mm的塑料封装。高集成的射频接收前端可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
黄贞松宋艳许庆杨磊
关键词：氮化铝陶瓷接收前端
一种用于TDD通信模式的大功率射频开关被引量：3
2010年
采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。
黄贞松杨磊
关键词：MCM大功率开关
L波段大功率开关的研制被引量：1
2016年
根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作简单。实现在L波段上,通过峰值功率500 W、占空比30%的脉冲信号,插入损耗小于0.8 d B,隔离度大于35 d B。
孟向俊杨磊黄贞松宋艳许庆
关键词：多芯片模块大功率开关
一种高集成射频接收前端模块被引量：1
2017年
一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,砷化镓(Ga As)单片LNA,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计的高集成射频接收前端模块,在1~3.5GHz频带内发射通路插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率100W,接收通路(带开关)NF小于2.0d B,增益大于28d B,OIP3大于35d Bm。模块为尺寸5mm×5mm×1.2mm的QFN封装,大幅减小了一般射频接收前端电路物理尺寸,可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。
匡珩梁庆山何旭黄贞松
关键词：氮化铝陶瓷MCM接收前端
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