应海涛
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- 3G/LTE应用高线性驱动放大器研制
- 采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实现，芯片尺寸：0.77mm×0.8mm。在5V、130mA工作状态下，达到...
- 应海涛冯爱华郑远唐文明王大方钱峰
- 关键词：HBT工艺
- 文献传递
- 824～849 MHz高效率InGaP/GaAs HBT CDMA手机功率放大器
- 利用InGaP/GaAs HBT技术研制了824～849 MHz手机功率放大器芯片.在3.4V工作电压下,低功率模式16dBm的效率达到9.5％,ACP@885kHz为-51.2dBc,ACP@1.98MHz为-68dB...
- 郑远钱峰应海涛翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：电路性能电流增益
- 文献传递
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 文献传递
- 900MHz高效率GaAs HBT GSM手机功率放大器
- 采用2μm GaInP/GaAs HBT工艺研制了GSM 900MHz制式终端应用功率放大器.放大器为3级,输出级匹配电路在PCB上实现,芯片尺寸:0.9×0.8 mm2.在3.2V、880～915 MHz下,达到:小信...
- 应海涛郑远钱峰翁长羽李拂晓邵凯
- 关键词：异质结双极型晶体管全球移动通信系统功率放大器
- 文献传递
- GaAs HBT 390MHz 4W功率放大器
- 本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390...
- 吴健郑远钱峰艾萱应海涛陈新宇
- 关键词：功率放大器芯片研制
- 400～520MHz LTCC多层片状耦合器被引量：2
- 2007年
- 介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。
- 吴健应海涛钱峰戴雷王子良
- 关键词：耦合度隔离度插入损耗反射损耗
