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艾萱

作品数：5 被引量：9H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇放大器
  • 3篇芯片
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成电路
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电路
  • 2篇砷化镓
  • 2篇微波单片
  • 2篇微波单片集成
  • 2篇微波单片集成...
  • 2篇集成电路
  • 2篇功率放大
  • 2篇功率放大器
  • 2篇GAAS_H...
  • 1篇多芯片
  • 1篇多芯片模块
  • 1篇信用

机构

  • 5篇南京电子器件...
  • 2篇南京国博电子...

作者

  • 5篇陈新宇
  • 5篇艾萱
  • 3篇钱峰
  • 3篇杨磊
  • 2篇吴健
  • 2篇应海涛
  • 1篇邵凯
  • 1篇张有涛
  • 1篇许正荣
  • 1篇徐光
  • 1篇吴键

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇通讯世界
  • 1篇2010’全...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 2篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器被引量：9
2013年
利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。
郑远吴键艾萱钱峰陈新宇杨磊
关键词：低噪声放大器砷化镓微波单片集成电路
GaAs HBT 390MHz 4W功率放大器
本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390...
吴健郑远钱峰艾萱应海涛陈新宇
关键词：功率放大器芯片研制
1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
关键词：功率放大器芯片分析
文献传递
移动通信用射频多芯片模块
2013年
I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。
许正荣郑远张有涛艾萱陈新宇杨磊
关键词：多芯片模块数控衰减器高密度封装射频信用
K波段低噪声放大器芯片被引量：1
2015年
设计一款K波段低噪声放大器芯片，采用0．15μmPHEMT工艺，工作频段：22～23GHz，增益大于17dB，噪声系数小于2．4dB，1dB功率压缩点大于7dBm，输入／输出电压驻波比小于2，偏置电压5V，静态工作电流12mA，具有极低功耗。
艾萱徐光郑远陈新宇前锋杨磊
关键词：低噪声放大器砷化镓微波单片集成电路
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