吴健
- 作品数：6 被引量：19H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 文献传递
- GaAs HBT 390MHz 4W功率放大器
- 本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72mm。在3.4V工作电压的测试条件下，功率放大器芯片在390...
- 吴健郑远钱峰艾萱应海涛陈新宇
- 关键词：功率放大器芯片研制
- VHF-UHF超低噪声放大器的设计被引量：7
- 2009年
- 介绍了应用Avago ATF-54143设计VHF-UHF超低噪声放大器,阐述了利用电感串联反馈、RC反馈技术,损耗一定的增益,实现输入输出匹配和放大器的无条件稳定。利用ADS进行仿真设计,对产品实际测量,G>20dB,NF<1dB,OIP3>35dBm。结果表明此低噪声放大器达到了预设的技术指标,性能良好,可用于接收机前端。
- 陈建华赵远东吴健
- LTCC 450 MHz CDMA功放模块的研制
- 2006年
- 对LTCC埋层电感进行了研究,以研制体积小、低损耗、微波性能好的高密度功放模块。利用商用三维电磁场分析软件HFSS对LTCC集成化功率放大器PA组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化。研制出450MHzCDMA手机LTCC功率放大器,增益29.0dB,VSWR为2.0∶1,PAE为34%,体积为6mm×6mm×1.2mm。
- 许庆吴健杨磊钱峰王子良戴雷
- 关键词：低温共烧陶瓷功率放大模块HFSS
- 0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器被引量：10
- 2014年
- 设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。
- 吴健郑远艾宣顾晓瑀朱彦青陈新宇杨磊钱峰
- 关键词：低噪声放大器高线性高增益
- 400～520MHz LTCC多层片状耦合器被引量：2
- 2007年
- 介绍了一种400～520MHz耦合度为-20dB的LTCC多层片状耦合器的设计。该耦合器由两个高耦合系数多层电感相互耦合而成,它的应用频率范围是400～520MHz。用标准LTCC工艺实现的耦合器尺寸仅1.6mm×3.2mm×0.76mm,耦合度-20±2dB,隔离度-35dB,反射损耗小于-20dB。
- 吴健应海涛钱峰戴雷王子良
- 关键词：耦合度隔离度插入损耗反射损耗
