钱峰
- 作品数：52 被引量：82H指数：5
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模被引量：1
- 2019年
- 给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
- 徐忠超刘军钱峰陆海燕程伟周文勇
- 关键词：等效电路模型太赫兹
- 负载牵引测试系统的误差源分析被引量：1
- 2015年
- 负载牵引测试系统是一个复杂的微波测试系统,必然存在测试误差。本文从系统的组成、系统的校准、测量仪器自身测试误差和测试环境等角度分析了误差的来源,及其对测试系统的影响。
- 汪珍胜郑惟彬王维波陶洪琪钱峰徐波
- 关键词：误差源
- S波段SiC MESFET微波功率MMIC被引量：1
- 2008年
- 利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8~3.4GHz的频带内小信号增益大于12dB,漏电压为32V时带内脉冲输出功率超过5W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MI M电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。
- 柏松陈刚冯忠钱峰陈征吴鹏任春江李哲洋郑惟彬蒋幼泉陈辰
- 关键词：金属半导体场效应晶体管微波功率单片微波集成电路
- 20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量：7
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器噪声系数眼图
- 1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器
- 本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益G...
- 郑远吴健艾萱应海涛陈新宇钱峰邵凯
- 关键词：功率放大器芯片分析
- 文献传递
- 高线性度PHEMT达林顿放大器被引量：2
- 2010年
- 使用E-PHEMT工艺,结合有源自偏置技术与达林顿放大器技术,制作一种新型E-PHEMT达林顿反馈放大器。相较于传统结构,这种新型结构具有显著的两大优点,采用E-PHEMT的技术使放大器线性度获得较大提高。在0.5~3 GHz的频率范围内,5 V供电电压的情况下,新型放大器可以保持21.5 dBm以上的P1dB;8 V情况下,更是能达到23.5 dBm以上的P1dB;采用有源自偏置技术以后,取消了传统结构中的偏置电阻,减少了电压消耗,使电源效率提高了近40%,并且使得偏置电流、增益、IP3和P1dB对温度的敏感度大大降低。
- 李晓倩钱峰郑远
- 关键词：E-PHEMT宽带高线性度
- 单通道8bit 1.4 GS/s折叠内插ADC
- 2011年
- 基于0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC。芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准。测试结果表明,ADC在1.4 GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW。文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出其在超高速ADC中的必要性。
- 张有涛李晓鹏张敏刘奡钱峰陈辰
- 关键词：折叠内插
- Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型直接提取方法
- 2014年
- 介绍了一种较为精确的Ⅲ-Ⅴ族HBT小信号模型的直接提取方法。该方法中的HBT小信号等效电路拓扑结构采用混合PI型结构,并通过在不同偏置状态下的测量进行模型参数的提取。采用该方法对2μm工艺、叉指数为2、发射结面积为2μm×20μm的HBT模型管进行了提取,提取结果在DC-20GHz频率范围内具有较好的精度,提取误差小于6%。
- 王储君钱峰项萍郑惟彬
- 关键词：小信号模型HBT电路拓扑结构模型参数PI型
- 8bit1．4GS／s模数转换器
- 2010年
- 张有涛李晓鹏刘奡张敏钱峰陈辰
- 关键词：高速模数转换器高速ADC高速数据采集校准技术软件无线电数字化雷达
- 移动通信用GaAs HBT功率放大器
- 2001年
- 介绍了移动通信用 Ga As HBT功率放大器的设计、制作 ,给出了电路拓扑。该两级放大电路在 180 0 MHz、3.6 V偏压下 ,相关增益 >30 d B,1分贝压缩点输出功率达到 2 8.8d Bm,饱和输出功率 >30 d Bm,最大效率 >37%。采用 Φ 76 mm工艺制作 。
- 钱峰陈新宇周剑明陈效建
- 关键词：砷化镓异质结双极晶体管功率放大器移动通信
