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高建峰

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

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地区

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共 25 条 记 录，以下是 1-10
章军云
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 电极 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴少兵
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：金属 空气桥 微波毫米波 挖槽 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：化合物半导体器件 半导体器件 砷化镓 高电子迁移率晶体管 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦硕
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 背面金属化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：成品率 T形栅 寄生参数 介质 小尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹鹏辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：半导体 键合剂 超薄 背面金属化 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭劲松
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：扫描式 测试套 光刻机 套刻 圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 背面金属化 半导体 耗尽型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵玲
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：超薄 背面金属化 半导体 键合剂 技术成熟度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：侧蚀 半导体表面 赝配高电子迁移率晶体管 栅介质 栅结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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