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章军云

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 13篇晶体管
  • 12篇电子迁移率
  • 12篇迁移率
  • 12篇高电子迁移率
  • 12篇高电子迁移率...
  • 9篇砷化镓
  • 8篇赝配高电子迁...
  • 7篇刻蚀
  • 6篇电极
  • 4篇势垒
  • 4篇半导体
  • 4篇掺杂
  • 3篇子层
  • 3篇衬底
  • 2篇单片
  • 2篇电路
  • 2篇电子输运
  • 2篇圆片
  • 2篇栅结构
  • 2篇栅介质

机构

  • 28篇中国电子科技...

作者

  • 28篇章军云
  • 13篇高建峰
  • 7篇吴少兵
  • 5篇林罡
  • 4篇王溯源
  • 2篇黄念宁
  • 2篇薛舫时
  • 2篇朱赤
  • 2篇马飞
  • 2篇康耀辉
  • 2篇潘斌
  • 1篇任春江
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇陈金远
  • 1篇张凯
  • 1篇李彭瑞
  • 1篇凌宗欣

传媒

  • 1篇电子产品可靠...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 6篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管及制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层...
章军云朱赤
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底、AlGaAs缓冲层、势垒层、低掺杂GaAs层、高掺杂GaAs层、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间提供第一凹槽，在第一凹槽内提供第二凹槽，在第二凹槽内设置金属层，...
章军云高建峰
文献传递
一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法
本发明涉及一种提升衬底有效芯片数目的曝光方法，包含如下步骤：1）制作掩模版：所述掩模版的每层光刻图形包含纯芯片层和PCM层两种版图，两种版图尺寸相同；2）设定曝光位置：按照PCM测试位置的要求，在需进行PCM测试的位置设...
王溯源俞勇章军云黄念宁
文献传递
一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
文献传递
一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
文献传递
一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管的制作方法
本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层(11)将空洞层(15)隔成两个区域，再利用介质层(14)将被隔成的两个空洞区域都封闭，最后利用干法的各向异性刻蚀将介质层...
章军云朱赤
文献传递
一种自旋极化耦合的GaN二极管
本发明公开了一种自旋极化耦合的GaN二极管，包括GaN SBD完整外延结构，其表面设有阴极金属、阳极结构和二极管隔离区；所述GaN SBD完整外延结构自下而上依次包括衬底、成核层及高阻缓冲层、n++重掺杂层和n‑轻掺杂层...
吴少兵代鲲鹏葛建雷于永洲章军云
一种在片测试直流探针卡
本发明公开了一种在片测试直流探针卡，能够克服传统直流探针卡存在寄生电感效应的缺陷，能够适用于各种微波单片集成电路的在片测试需要。包括环型介质基板，基板的上表面焊接有直流馈电探针与接地探针，探针上接有电容，直流馈电探针与电...
洪希依陈金远章军云黄念宁
文献传递
一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种超晶格栅极的GaN高电子迁移率晶体管，包括GaN HEMT完整外延结构以及在GaN HEMT完整外延结构上制备的源漏金属、源漏保护SiN介质及栅极；所述GaN HEMT完整外延结构自下而上包括：衬底、成核...
吴少兵张亦斌王溯源于永洲章军云
一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法
本发明公开了一种悬空纳米栅长T型栅的制备方法，包括步骤：在晶圆片上沉积钝化介质层；在钝化介质层上依次沉积牺牲层、刻蚀停止层；在刻蚀停止层上涂敷光刻胶，通过曝光和显影定义一次栅脚区域；刻蚀一次栅脚区域的刻蚀停止层和牺牲层，...
张亦斌孙远梁宗文吴少兵章军云
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