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潘斌

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇晶体管
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓晶体管
  • 2篇氮化镓器件
  • 2篇电路
  • 2篇圆片
  • 2篇酸溶液
  • 2篇酸液
  • 2篇套刻
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子工艺
  • 2篇流层
  • 2篇流传输
  • 2篇流驱动
  • 2篇可重复性
  • 2篇集成技术
  • 2篇碱溶液
  • 2篇功率
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体

机构

  • 14篇中国电子科技...

作者

  • 14篇潘斌
  • 6篇陈堂胜
  • 6篇李彭瑞
  • 5篇孔月婵
  • 4篇郭怀新
  • 4篇钟世昌
  • 3篇任春江
  • 3篇吴少兵
  • 2篇章军云
  • 2篇朱健
  • 2篇邹鹏辉
  • 2篇黄旼
  • 2篇王彦硕
  • 2篇刘鑫
  • 1篇林罡
  • 1篇张凯
  • 1篇胡俊伟

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法
本发明公开了一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，包括步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤三：采用酸溶液进行清洗；步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；...
李彭瑞任春江潘斌陈堂胜
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一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管
本发明公开了一种铁电极化耦合的GaN场效应晶体管，包括GaN外延结构，所述GaN外延结构的表面设置有源漏金属，所述源漏金属上生长有源漏保护SiN介质，所述GaN外延结构的表面设置具有一次铁电薄膜的栅极结构，所述GaN外延...
吴少兵刘世郑潘斌于永洲章军云
一种异质衬底薄膜转移对准方法
本发明公开了一种异质衬底薄膜转移对准方法，通过两次背面套刻和标记转移，解决了异质衬底集成薄膜材料的便捷有效的对准问题；通过两次背面套刻，将转移的薄膜材料和目标衬底器件纳入到同一对准参照系中，为后续基于标准微电子工艺的异质...
戴家赟王飞黄旼潘斌孔月婵朱健
文献传递
一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底、位于衬底上的GaN、位于GaN上的器件、位于衬底上的金属层电路以及位于G...
代鲲鹏潘斌张凯吴少兵林罡章军云
一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法
本发明公开了一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件，包括集成互连介质和微流驱动模块，微流驱动模块上设有对准下凹区域，片内微流GaN HEMT功率器件放置在对准下凹区域内；集成互连介质位于片内微流GaN HEMT...
郭怀新王瑞泽戴家赟潘斌钟世昌
一种深孔图形光刻胶填充方法
本发明涉及一种深孔图形的光刻胶填充方法，通过表面处理使圆片表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层，利用溶剂与该氧化层的接触角小于90°，使得溶剂对深孔的侧壁和底部具有良好的浸润性，从而实现对深孔的无孔化填充，其包括以下步骤...
李彭瑞潘斌任春江陈堂胜
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用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法
本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种，其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞胡俊伟刘鑫
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一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
本发明公开了一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法，通过第一键合剂与第一有机试剂、第二键合剂与第二有机试剂的配套使用，能够有效降低超薄半导体圆片在背面工艺过程中的裂片率，芯片成品率高。半导体圆片与载体片分离的过...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞刘鑫
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一种高精度磷化铟太赫兹集成在片探针制备方法
本发明公开了一种高精度磷化铟太赫兹集成在片探针制备方法。其主要步骤有：将圆片减薄并完成背面工艺；完成集成在片探针边缘蚀刻图案的光刻；采用干法及湿法腐蚀工艺蚀刻出探针边缘；完成圆片分离并转移至UV膜上，使用划片机划切；清洗...
孙远吴少兵林浩潘棋潘斌李彭瑞
一种基于片内微流散热结构的高可靠高频GaN功率器件及其制备方法
本发明公开了一种基于片内微流散热结构的高可靠高频GaN功率器件及其制备方法，器件包括：设置于器件正面的GaN功率器件有源区和匹配电路互连区，以及器件背面的片内微流结构区和高可靠微流集成区，匹配电路互连区设置于GaN功率器...
郭怀新王瑞泽钟世昌成爱强潘斌孔月婵陈堂胜
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