陈堂胜
- 作品数：405 被引量：321H指数：9
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 一种嵌入式片内微流道Si基GaN HEMT器件及其制备方法
- 本发明涉及一种嵌入式片内微流道Si基GaNHEMT器件及其制备方法，属于新型半导体器件热管理技术领域。该器件自上而下依次包括栅功能层、源功能层、漏功能层，SiN钝化层、AlGaN势垒层、GaN缓冲层及微流结构Si衬底；所...
- 郭怀新王瑞泽戴家赟陈堂胜
- 文献传递
- DC～40GHz光纤通信用前置放大器
- 2005年
- 郑远钱峰陈堂胜李拂晓邵凯
- 关键词：光纤通信前置放大器带宽
- 用于GaN CMOS集成技术的p型GaN欧姆接触研究
- 2024年
- 通过金属叠层结构、蒸发-合金工艺条件的优化调整,实现了低接触电阻率、高稳定的p型GaN欧姆接触技术,并研究分析了电极金属在合金过程中的扩散行为。测试结果显示,改进后的p型GaN欧姆接触电阻为11.9Ω·mm,比导通电阻率为3.9×10^(-5)Ω·cm^(2),同时在250℃以内的高温环境中欧姆特性不会发生退化。在此基础上,采用低损伤凹槽栅刻蚀、叠层栅介质沉积等工艺研制出增强型p沟道GaN晶体管器件,器件的阈值电压为-1.2 V(V_(GS)=VDS,IDS=10μA/mm),漏极电流密度为-5.6 mA/mm,导通电阻为665Ω·mm(V_(GS)=-8 V,V_(DS)=-2 V)。优异的p型GaN欧姆接触技术为高性能GaN p沟道器件的研制以及GaN CMOS集成技术的小型化、智能化、高速化发展奠定了重要基础。
- 潘传奇王登贵周建军胡壮壮严张哲郁鑫鑫李忠辉李忠辉
- 关键词：P型GAN欧姆接触
- 增强型p⁃GaN栅HEMT器件的抗辐照性能研究
- 2024年
- 为研究应用于宇航领域增强型GaN HEMT器件的抗辐照性能,制备了导通电流为20 A、击穿电压为345 V的增强型p-GaN栅HEMT器件,并分别研究了器件抗总剂量效应能力与抗单粒子效应能力。实验结果表明,研制的增强型p-GaN栅HEMT器件在辐照剂量率为1.55 rad(Si)/s、累积总剂量为300 krad(Si)的条件下,器件的阈值电压保持不变,同时器件在传能线密度为37.3 MeV/(mg·cm^(2))的离子辐照下,仍然实现了大于300 V的击穿电压。表明研制的增强型p-GaN栅HEMT器件具有良好的抗辐照能力。
- 胡壮壮王登贵李雪周建军周建军陈堂胜
- 关键词：总剂量效应单粒子效应
- 2～11GHz GaN HEMT功率MMIC被引量：1
- 2009年
- 陈辰张斌陈堂胜焦刚任春江
- 关键词：MMICHEMT高电子迁移率晶体管微波单片集成电路输出阻抗
- SiC基GaN激光划片工艺研究被引量：1
- 2017年
- 介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。
- 王彦硕邹鹏辉贾洁林罡高建峰陈堂胜
- 关键词：碳化硅衬底激光划片划痕
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- 本文报导的这种DC-50GHz超宽带的GaAsMMIC压控电调衰减器除了具有大动态衰减范围,优异的输入/输出驻波及多功能等特点外,低的插入相移是这种芯片的最显著的特点.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：可变衰减器插入相移
- 文献传递
- 磁控溅射AlN介质MIS栅结构的AlGaN/GaN HEMT
- 2009年
- 报道了一种X波段输出功率密度达10.4W/mm的SiC衬底AlGaN/GaN MIS-HEMT。器件研制中采用了MIS结构、凹槽栅以及场板,其中MIS结构中采用了磁控溅射的AlN介质作为绝缘层。采用MIS结构后,器件击穿电压由80V提高到了180V以上,保证了器件能够实现更高的工作电压。在8GHz、55V的工作电压下,研制的1mm栅宽AlGaN/GaN MIS-HEMT输出功率达到了10.4W,此时器件的功率增益和功率附加效率分别达到了6.56dB和39.2%。
- 任春江陈堂胜焦刚钟世昌薛舫时陈辰
- 关键词：场板高电子迁移率晶体管
- 光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3
- 2010年
- 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。
- 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂
- 关键词：集成光学限幅放大器
- 毫米波GaN HEMT器件大信号模型
- 2017年
- 介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,并分析了拟合结果。与18GHz的在片loadpull测试结果比较,模型仿真结果显示输出功率及效率与实测数据基本一致。
- 陆海燕周建军孔月婵陈堂胜
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管大信号模型
