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李彭瑞

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇子层
  • 3篇半导体
  • 2篇烧结特性
  • 2篇酸溶液
  • 2篇酸液
  • 2篇体系结构
  • 2篇可重复性
  • 2篇化合物半导体
  • 2篇化合物半导体...
  • 2篇碱溶液
  • 2篇半导体器件
  • 2篇金
  • 2篇操作工艺
  • 2篇超声
  • 2篇超声清洗
  • 1篇电阻
  • 1篇镀钯
  • 1篇氧化层
  • 1篇有机试剂
  • 1篇圆片

机构

  • 9篇中国电子科技...

作者

  • 9篇李彭瑞
  • 6篇潘斌
  • 3篇任春江
  • 3篇陈堂胜
  • 2篇林罡
  • 2篇邹鹏辉
  • 2篇王彦硕
  • 2篇吴少兵
  • 2篇刘鑫
  • 1篇章军云
  • 1篇胡俊伟

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种深孔图形光刻胶填充方法
本发明涉及一种深孔图形的光刻胶填充方法，通过表面处理使圆片表面和深孔侧壁及底部形成一层薄氧化层，利用溶剂与该氧化层的接触角小于90°，使得溶剂对深孔的侧壁和底部具有良好的浸润性，从而实现对深孔的无孔化填充，其包括以下步骤...
李彭瑞潘斌任春江陈堂胜
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用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法
本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种，其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞胡俊伟刘鑫
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一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
本发明公开了一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法，通过第一键合剂与第一有机试剂、第二键合剂与第二有机试剂的配套使用，能够有效降低超薄半导体圆片在背面工艺过程中的裂片率，芯片成品率高。半导体圆片与载体片分离的过...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞刘鑫
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一种高精度磷化铟太赫兹集成在片探针制备方法
本发明公开了一种高精度磷化铟太赫兹集成在片探针制备方法。其主要步骤有：将圆片减薄并完成背面工艺；完成集成在片探针边缘蚀刻图案的光刻；采用干法及湿法腐蚀工艺蚀刻出探针边缘；完成圆片分离并转移至UV膜上，使用划片机划切；清洗...
孙远吴少兵林浩潘棋潘斌李彭瑞
一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法
本发明公开了一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，包括步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤三：采用酸溶液进行清洗；步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；...
李彭瑞任春江潘斌陈堂胜
文献传递
提高化合物半导体器件可靠性的背金体系结构及制备方法
本发明公开了提高化合物半导体器件可靠性的背金体系结构及制备方法，所述背金体系结构是在化合物半导体圆片的背孔和背面依次形成种子层、第一背金层、第一阻挡层、第二背金层和第二阻挡层，所述第一阻挡层覆盖圆片的背孔和背金，所述第二...
邵国键陈韬李彭瑞林罡
一种带正反面欧姆接触电极的SiC基GaN肖特基二极管及其制作方法
本发明公开了一种带正反面欧姆接触电极的SiC基GaN肖特基二极管，包括：从下到上SiC衬底、GaN过渡层、高掺杂GaN层、低掺杂GaN层和形成在高掺杂GaN层上的第一阴极、形成在低掺杂GaN层上的肖特基阳极、形成在SiC...
代鲲鹏吴少兵章军云李彭瑞梁宗文葛建雷
提高化合物半导体器件可靠性的背金体系结构及制备方法
本发明公开了提高化合物半导体器件可靠性的背金体系结构及制备方法，所述背金体系结构是在化合物半导体圆片的背孔和背面依次形成种子层、第一背金层、第一阻挡层、第二背金层和第二阻挡层，所述第一阻挡层覆盖圆片的背孔和背金，所述第二...
邵国键陈韬李彭瑞林罡
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一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法
本发明公开了一种半导体晶圆刻蚀后清洗方法，包括步骤一：对半导体晶圆采用酸液进行预洗；步骤二：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤三：采用酸溶液进行清洗；步骤四：采用高压二流体碱溶液进行冲洗；步骤五：采用碱溶液进行超声清洗；...
李彭瑞任春江潘斌陈堂胜
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