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高建峰

作品数：28 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 9篇电子迁移率
  • 9篇迁移率
  • 9篇晶体管
  • 9篇高电子迁移率
  • 9篇高电子迁移率...
  • 8篇砷化镓
  • 6篇赝配高电子迁...
  • 5篇半导体
  • 4篇电极
  • 4篇电子束直写
  • 4篇栅介质
  • 4篇介质
  • 4篇刻蚀
  • 4篇毫米波
  • 4篇掺杂
  • 3篇圆片
  • 3篇扫描式
  • 3篇生长介质
  • 3篇势垒
  • 3篇子层

机构

  • 28篇中国电子科技...

作者

  • 28篇高建峰
  • 13篇章军云
  • 7篇吴少兵
  • 4篇林罡
  • 3篇黄念宁
  • 3篇邹鹏辉
  • 3篇彭劲松
  • 3篇康耀辉
  • 3篇王彦硕
  • 2篇薛舫时
  • 2篇王溯源
  • 2篇马飞
  • 2篇陈元坤
  • 2篇李信
  • 2篇赵玲
  • 1篇杨乃彬
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇陈效建
  • 1篇李辉
  • 1篇李拂晓

传媒

  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 3篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管，包括：衬底、AlGaAs缓冲层、势垒层、低掺杂GaAs层、高掺杂GaAs层、源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间提供第一凹槽，在第一凹槽内提供第二凹槽，在第二凹槽内设置金属层，...
章军云高建峰
文献传递
一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法
本发明是一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法，其特征该方法包括如下工艺步骤：（1）元件的制备；（2）纳米薄层金属锗的制备；（3）电子束直写栅；（4）纳米薄层金属锗的第一次去除；（5）栅介质的刻蚀，栅金属的...
吴少兵高建峰
砷化镓微波单片电路技术在五十五所
本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品...
杨乃彬李拂晓张斌陈堂胜蒋幼泉沈亚高建峰彭龙新
关键词：砷化镓单片电路微波单片集成电路
文献传递
一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
文献传递
一种基于文件解析的半导体芯片加工设备状态监控方法
本发明公开了一种基于文件解析的半导体芯片加工设备状态监控方法，该方法包括如下步骤：(1)采集半导体芯片加工设备自动生成的文件；(2)进行文件解析，形成符合SECS传输协议的文本格式；(3)把解析的文件上传给半导体芯片加工...
吴凡孙光峤于永洲高建峰康耀辉顾梅马骁陆家俊
文献传递
一种半导体晶体管的制作方法
本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金...
章军云高建峰
文献传递
一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法
一种微波毫米波芯片的小尺寸栅制备方法，在介质层上涂一层耐刻蚀的电子束胶；利用电子束直写设备直写栅脚图形；在直写完的栅脚图形上涂深紫外光刻胶；利用电子束直写设备直写栅帽图形；对直写完的栅帽进行烘焙，并利用碱性显影液对直写完...
吴少兵高建峰
一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法
本发明是一种改善GaN HEMT表面电子束直写电荷积累的方法，其特征该方法包括如下工艺步骤：（1）元件的制备；（2）纳米薄层金属锗的制备；（3）电子束直写栅；（4）纳米薄层金属锗的第一次去除；（5）栅介质的刻蚀，栅金属的...
吴少兵高建峰
文献传递
一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料
本发明是一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料，是一种具有双AlAs薄插入层的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料的异质结构。其结构是在衬底层上通过分子束外延或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的AlGaAs...
章军云薛舫时高建峰林罡
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