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王彦硕

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：医药卫生电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇金属化
  • 3篇键合剂
  • 3篇半导体
  • 2篇电性能
  • 2篇电性能测试
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇圆片
  • 2篇增强型
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇挖槽
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇晶体管
  • 2篇开启电压
  • 2篇技术成熟度
  • 2篇耗尽型
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇背面金属化

机构

  • 7篇中国电子科技...

作者

  • 7篇王彦硕
  • 5篇黄念宁
  • 5篇邹鹏辉
  • 3篇高建峰
  • 3篇吴少兵
  • 2篇李彭瑞
  • 2篇陈元坤
  • 2篇潘斌
  • 2篇李信
  • 2篇赵玲
  • 2篇刘鑫
  • 1篇胡俊伟

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法
本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法，通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种，其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞胡俊伟刘鑫
文献传递
一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚介...
吴少兵王彦硕黄念宁
一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明涉及的是一种增强型AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管，其外延结构包括SiC衬底、GaN沟道层、GaN高阻缓冲层和Al含量渐变的AlGaN势垒层。其制备方法，包括如下工艺步骤：（1）源漏金属体系的制备；（2）栅脚...
吴少兵王彦硕黄念宁
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一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
本发明公开了一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法，通过第一键合剂与第一有机试剂、第二键合剂与第二有机试剂的配套使用，能够有效降低超薄半导体圆片在背面工艺过程中的裂片率，芯片成品率高。半导体圆片与载体片分离的过...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞刘鑫
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一种轮式金刚刀划片方法
本发明公开了一种轮式金刚刀划片方法，其主要步骤有：1）圆片减薄至目标厚度并完成背面工艺；2）将圆片通过粘性膜固定在绷环上；3）使用轮式金刚刀在设定步进、压力、速度下对圆片进行划片，形成凹槽；4）使用裂片机将圆片沿凹槽位置...
邹鹏辉高建峰黄念宁吴少兵王彦硕汤朦
文献传递
一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
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