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文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇医药卫生

主题

  • 3篇金属化
  • 3篇键合剂
  • 3篇半导体
  • 2篇电性能
  • 2篇电性能测试
  • 2篇圆片
  • 2篇技术成熟度
  • 2篇背面金属化
  • 2篇超薄
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇镀钯
  • 1篇有机试剂
  • 1篇粘附
  • 1篇粘附力
  • 1篇粘性
  • 1篇试剂
  • 1篇迁移率

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇邹鹏辉
  • 5篇王彦硕
  • 3篇黄念宁
  • 3篇高建峰
  • 2篇李彭瑞
  • 2篇陈元坤
  • 2篇潘斌
  • 2篇李信
  • 2篇赵玲
  • 2篇刘鑫
  • 1篇韩春林
  • 1篇程伟
  • 1篇陈辰
  • 1篇胡俊伟
  • 1篇吴少兵

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法,其主要步骤有:1)表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合;2)圆片减薄成超薄片,其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺;3)超薄片与第一载体分离;...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法
本发明公开了一种用于半导体背面通孔金属化种子层的化学镀钯方法,通过强酸环境中钯离子及还原剂与半导体材料和金属表面发生强氧化还原反应在半导体材料和金属表面置换出一层钯晶种,其后在钯化学镀液中通过镀液的自激发在钯晶种上持续沉...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞胡俊伟刘鑫
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一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
本发明公开了一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法,通过第一键合剂与第一有机试剂、第二键合剂与第二有机试剂的配套使用,能够有效降低超薄半导体圆片在背面工艺过程中的裂片率,芯片成品率高。半导体圆片与载体片分离的过...
邹鹏辉王彦硕潘斌李彭瑞刘鑫
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一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法
本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法,其主要步骤有:1)表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合;2)圆片减薄成超薄片,其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺;3)超薄片与第一载体分离;...
邹鹏辉王彦硕高建峰黄念宁李信赵玲陈元坤
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磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法
一种磷化铟基共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管单片集成制造方法,其基本步骤是在半导体材料磷化铟(InP)衬底上用分子束外延设备依次生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管材料;在外延片的表面用电子束光刻,光学光刻和湿法腐蚀...
韩春林邹鹏辉陈辰程伟
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一种轮式金刚刀划片方法
本发明公开了一种轮式金刚刀划片方法,其主要步骤有:1)圆片减薄至目标厚度并完成背面工艺;2)将圆片通过粘性膜固定在绷环上;3)使用轮式金刚刀在设定步进、压力、速度下对圆片进行划片,形成凹槽;4)使用裂片机将圆片沿凹槽位置...
邹鹏辉高建峰黄念宁吴少兵王彦硕汤朦
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共1页<1>
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