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林罡

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 13篇半导体
  • 12篇半导体器件
  • 9篇化合物半导体
  • 9篇化合物半导体...
  • 5篇砷化镓
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇击穿电压
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇掺杂
  • 3篇直流
  • 3篇势垒
  • 3篇化合物
  • 3篇功率器件
  • 3篇沟道
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电极
  • 2篇电子输运

机构

  • 22篇中国电子科技...

作者

  • 22篇林罡
  • 13篇陈堂胜
  • 5篇章军云
  • 4篇高建峰
  • 2篇薛舫时
  • 2篇李彭瑞
  • 1篇张凯
  • 1篇潘斌
  • 1篇吴少兵

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法
本发明提出的是一种用聚酰亚胺填充半导体器件管壳的方法，在组装好半导体器件的管壳内涂覆第一层聚酰亚胺，将管壳放入具有保护气体气氛的烘箱中常温静置，使第一层聚酰亚胺填充于管壳内部各器件之间的缝隙；在管壳内涂覆第二层聚酰亚胺，...
邵国键林罡陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法
本发明提供化合物半导体器件直流热分布的分析系统及分析方法，包括：热台、源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源和红外热像仪；半导体器件置于热台上，所述源极直流电源、栅极直流电源、漏极直流电源为半导体器件提供直流激励信号；...
邵国键林罡任彬张长梅陈正廉孙军刘柱陈韬陈堂胜
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一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法
本发明提供了一种正离子掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底，所述衬底上设有外延层，所述外延层包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上方设有源极和漏极，所述源极和漏极之...
邵国键林罡任彬陈韬刘柱陈堂胜
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一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法
本发明公开了一种改善化合物半导体器件光刻性能的版图设计方法，在光刻版图上的低分布密度的原始设计图形的外侧增加封闭的虚拟线框，所述虚拟线框的线宽尺寸小于光刻机的曝光极限线宽，从而在圆片表面不形成真实的虚拟线框图形。本发明通...
邵国键林罡陈韬刘柱陈堂胜
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具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构
本发明是一种具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，包括A金属层、A扩散阻挡层、B金属层、B扩散阻挡层、C金属层、接触金属层、衬底、正面图形，其中A金属层上是A扩散阻挡层；A扩散阻挡层上是金属层；B金属层上是B扩...
林罡
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基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法
本发明公开了基于EMMI系统的化合物半导体射频功率测试系统及方法，包括信号源，耦合器，隔离器，负载调节器和EMMI平台；首先采用EMMI平台采集器件在未加电和未加微波激励信号时的背景光信号；然后为器件加电，使得器件处于导...
邵国键林罡任彬张长梅刘柱陈韬陈堂胜
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一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯的制造方法，带悬臂梁结构的GaN太赫兹单片电路及管芯，包括：衬底、位于衬底上的GaN、位于GaN上的器件、位于衬底上的金属层电路以及位于G...
代鲲鹏潘斌张凯吴少兵林罡章军云
一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法
本发明公开了一种化合物半导体器件栅结构缺陷的直流筛选方法，步骤依次为：测试化合物半导体器件的初始转移特性；逐次提高漏极电压，多次测试转移特性；绘制不同漏极电压条件下的转移特性曲线，并标注对应的阈值电压；判断阈值电压是否随...
邵国键林罡陈韬陈正廉俞勇沈杰陈堂胜
一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法
本发明提供了一种掺杂工艺提高半导体器件击穿电压的结构及其制备方法，结构包括衬底、外延层、源极、漏极以及栅极，所述外延层，位于所述衬底上方，包括由下至上设置的成核层、第一材料层、沟道层以及势垒层；所述沟道层内具有二维电子气...
邵国键林罡陈韬刘柱陈堂胜
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一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料
本发明是一种砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料，是一种具有双AlAs薄插入层的砷化镓赝配高电子迁移率晶体管外延材料的异质结构。其结构是在衬底层上通过分子束外延或者金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的AlGaAs...
章军云薛舫时高建峰林罡
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