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邓涛

作品数:5 被引量:14H指数:1
供职机构:重庆光电技术研究所更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

领域

  • 13个电子电信
  • 6个自动化与计算...
  • 2个化学工程
  • 2个电气工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个机械工程
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个一般工业技术
  • 1个理学

主题

  • 13个CCD
  • 8个刻蚀
  • 8个光刻
  • 7个多晶
  • 7个多晶硅
  • 6个电荷耦合
  • 6个电荷耦合器
  • 6个电荷耦合器件
  • 6个面阵
  • 5个氮化硅
  • 5个ITO薄膜
  • 4个氮化
  • 4个电路
  • 4个选择比
  • 4个氧化硅
  • 4个阵列
  • 4个退火
  • 4个小尺寸
  • 4个接触孔
  • 3个低损耗

机构

  • 12个重庆光电技术...
  • 1个天津工业大学
  • 1个中国电子科技...

资助

  • 2个国防科技技术...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个国家自然科学...
  • 1个国家重大航天...

传媒

  • 13个半导体光电
  • 5个电子科技
  • 5个电子技术(上...
  • 2个2004全国...
  • 1个半导体技术
  • 1个红外与毫米波...
  • 1个真空科学与技...
  • 1个航天器工程
  • 1个集成电路应用
  • 1个全国光电技术...

地区

  • 12个重庆市
  • 1个天津市
13 条 记 录,以下是 1-10
向鹏飞
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 选择比 反应离子刻蚀 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨修伟
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 选择比 光刻 阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建威
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 光刻 选择比 刻蚀 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴可
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 光刻 复合介质 界面态密度 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
雷仁方
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD MPP 电荷耦合器件 光刻 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
熊玲
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 硅片 硅晶圆 抛光 湿法腐蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁安波
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD 刻蚀 光刻 选择比 氮化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
向华兵
供职机构:重庆光电技术研究所
研究主题:CCD LPCVD 表面光电压 氮化硅 电荷耦合器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵梁博
供职机构:天津工业大学信息与通信工程学院
研究主题:超宽带 插入损耗 高通滤波器 悬置带线 宽带滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李华高
供职机构:中国电子科技集团公司第44研究所
研究主题:红外探测器 铂 CCD 硅 光腔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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