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12 条 记 录,以下是 1-10
刘洪刚
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 迁移率 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王虹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩乐
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 超浅结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卢力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭浩
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:二维光子晶体 硅基 光子禁带 衬底 介质柱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈洪钧
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:二维光子晶体 硅基 光子禁带 介质柱 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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