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陈伟

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 12篇光电
  • 10篇光电二极管
  • 10篇二极管
  • 9篇雪崩
  • 8篇雪崩光电二极...
  • 3篇电阻
  • 3篇探测器
  • 3篇芯片
  • 2篇单光子
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇三阶梯
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇平面型
  • 2篇响应度
  • 2篇结深
  • 2篇口径
  • 2篇光电探测
  • 2篇光电探测器

机构

  • 17篇中国电子科技...

作者

  • 17篇陈伟
  • 12篇崔大健
  • 10篇高新江
  • 6篇唐艳
  • 2篇陈扬
  • 1篇杨晓波

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2017
  • 2篇2015
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高可靠InP台面光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种高可靠InP台面光电探测器及其制备方法，包括提供一外延片，并在所述外延片上依次制作二阶梯台面、第一钝化层及金属层形成芯片样品；在所述芯片样品上淀积形成一第二钝化层，其中所述第二钝化层至少完全包覆所述金属层...
唐艳黄晓峰王立崔大健张承陈伟董绪丰柴松刚
一种InP基的马赫-曾德尔干涉型电光调制器及其制备方法
本发明涉及一种InP基的马赫‑曾德尔干涉型电光调制器及其制备方法，属于电光调制器的制备技术领域。本发明公开了一种InP基的马赫‑曾德尔干涉型电光调制器，包括依次相连的光输入端、光调制区和光输出端，该光调制区中的行波电极包...
左欣崔大健陈伟周浪黄晓峰朱长林王立严银林肖入彬吴烨俊吴唯
一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法
本发明提供一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场控制层和帽层，部分所述帽层上设有同轴的三阶梯PN结，所述三阶梯PN结包括半径逐渐增宽而结深逐渐变浅的第三阶梯PN结、第二...
陈伟高新江张承迟殿鑫黄晓峰崔大健王立樊鹏
一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管
本发明提供一种具有不等光电口径的垂直进光雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的吸收层、场控制层、本征层和介质钝化层，以及层叠于衬底下的N电极，部分本征层上设有具有边缘击穿抑制效果的P型重掺区，P型重掺区中心制作有中...
迟殿鑫高新江蒋利群李彬陈伟张承
一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法
本发明涉及半导体光电二极管领域，特别涉及一种用于提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法，包括：衬底，在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层；该结构采用台面型芯片结构；台面型结构的有源区域设置有钝化膜以及由P...
王立黄晓峰崔大健高新江莫才平张承唐艳陈伟
文献传递
InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法
本发明涉及一种InP衬底扩散掺杂和退火方法及光电探测器制作方法，掺杂和退火方法包括：将InP衬底放入MOCVD设备中；使MOCVD设备升温至第二温度，向MOCVD设备内部通入保护气体；对InP衬底进行P型扩散掺杂；使MO...
张承李艳炯孟钰淋杨晓波崔大健黄晓峰迟殿鑫陈伟朱长林
单光子雪崩光电二极管及其制造方法
本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制造方法，所述单光子雪崩光电二极管包括单光子雪崩光电二极管结构及自适应电阻结构。在单光子雪崩光电二极管结构上集成一个具有第一电阻状态和第二电阻状态的自适应电阻结构，可通过自适应电阻结...
张承崔大健黄晓峰柳聪张圆圆曹一田明波赵江林陈伟敖天宏迟殿鑫
单光子雪崩光电二极管及其制造方法
本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制造方法，所述单光子雪崩光电二极管包括单光子雪崩光电二极管结构及自适应电阻结构。在单光子雪崩光电二极管结构上集成一个具有第一电阻状态和第二电阻状态的自适应电阻结构，可通过自适应电阻结...
张承崔大健黄晓峰柳聪张圆圆曹一田明波赵江林陈伟敖天宏迟殿鑫
一种InP/InGaAsP模斑转换器及其制作方法
本发明属半导体光电子技术领域，具体涉及一种InP/InGaAsP模斑转换器及其制作方法，包括在InP衬底上形成InP缓冲层，在InP缓冲层上形成由InGaAsP与InP外延层构成的引导层，在引导层上形成InP上转换层，在...
陈伟崔大健黄晓峰周浪莫才平迟殿鑫赵开梅唐艳漆雪松陈维
可探测激光入射方向的阵列探测器
本发明涉及一种可探测激光入射方向的阵列探测器，包括管壳,所述管壳中设置有内腔，所述内腔中设置有第一探测器阵列芯片；所述内腔中设置有多个隔板，从而将内腔分成多个隔离腔；所述内腔的开口处设置有管帽，所述管帽上设置有光窗，所述...
唐艳黄晓峰崔大健蒋利群王立张承董绪丰陈伟柴松刚吴尚池邹佩洪
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