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陈扬

作品数：19 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
发文基金：中国电子科技集团公司创新基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇探测器
  • 11篇焦平面
  • 10篇光电
  • 6篇焦平面探测器
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 5篇半导体
  • 4篇电极
  • 4篇雪崩
  • 4篇像元
  • 4篇晶格
  • 4篇红外
  • 4篇超晶格
  • 3篇芯片
  • 2篇倒装
  • 2篇导体
  • 2篇电子器件
  • 2篇对焦
  • 2篇雪崩光电二极...
  • 2篇增层

机构

  • 19篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 19篇陈扬
  • 12篇高新江
  • 7篇周勋
  • 6篇赵文伯
  • 6篇崔大健
  • 4篇唐艳
  • 3篇王玺
  • 2篇陈伟
  • 1篇季万涛
  • 1篇卢杰
  • 1篇兰逸君
  • 1篇胡小燕

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于焦平面器件减薄抛光的限高保护夹具及方法
本发明提供一种用于焦平面器件减薄抛光的限高保护夹具及方法，夹具由玻璃载板和被若干分割缝分割成至少两部分的板体拼接组成，板体上设有用于放置并夹紧焦平面器件的矩形孔，所述板体的硬度比焦平面器件上层的硬度大，所述板体的化学稳定...
张圆圆赵文伯莫才平高新江陈扬迟殿鑫黄玉兰张承周勋
一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法
本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种负反馈型单光子雪崩光电二极管及其制作方法，包括：衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层，衬底下方设置有入射光窗和N电极，N电极对称分布在入射光窗周围；衬底上方依次设置缓冲层...
陈伟高新江赵江林刘昆敖天宏蒋利群罗洪静张承陈扬黄晓峰
一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法
本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种抗辐照近红外焦平面探测器及制作方法；所述探测器包括探测器阵列芯片和CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片通过铟柱连接CMOS读出电路；所述探测器阵列芯片的像元区由中心向四周依次为...
樊鹏高新江崔大健周勋陈扬申志辉
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一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法
本发明属于宽禁带半导体、光电子器件领域，具体涉及一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法；所述外延结构从上至下包括非故意掺杂AlGaN吸收层、N型AlGaN组分渐变层、N型AlGaN超晶格层、非故意掺杂AlN模板层以及A...
申志辉赵文伯崔大健陈扬刘海军张承敖天宏
一种InGaAs焦平面光电探测器的共面N电极的制备方法
本发明公开了一种InGaAs焦平面光电探测器的共面N电极及其制备方法，包括在衬底上生长依次层叠生长的第二InP层、InGaAs层和第一InP层；依次对第一InP层、InGaAs层和第二InP层进行选择性腐蚀，分别得到第一...
刘昆张圆圆吴唯黄晓峰柳聪陈扬刘逸凡姚彬彬
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一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法
本发明属半导体技术领域，具体涉及一种单片集成型平衡光电探测器芯片，所述芯片包括两个并行的光电探测器单元串联集成，光电探测器单元为正入光、台面型双异质PIN结构；光电探测器单元采用半绝缘衬底，半绝缘衬底上沉积有半导体材料结...
崔大健高新江陈扬王立周浪
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一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法
本发明涉及半导体混合集成芯片制造技术，特别涉及一种混成式焦平面倒装集成用新型凸点结构及其制作方法，所述结构包括ROIC芯片和PDA芯片，所述PDA芯片上设置有In凸点阵列，所述ROIC芯片上设置有金属微管，所述每个微管结...
陈扬柳聪高新江莫才平张圆圆周勋董绪丰唐艳田坤
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一种近红外集成式圆偏态检测探测器
本发明公开了一种近红外集成式圆偏态检测探测器，包括介质层基底(4)，在所述介质层基底(4)的一端设有第一光敏区(5)和第二光敏区(6)，在所述第一光敏区(5)上对应连接有第一电极(7)，在所述第二光敏区(6)上对应连接有...
王玺高新江陈扬
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GPON用光接收APD芯片
高新江黄晓峰莫才平迟殿鑫蒋利群崔大健赵军陈扬王立樊鹏柳聪陈伟唐艳张圆圆董绪丰
该项目是由中国电子科技集团公司第四十四研究所(以下简称中电44所)自行开展的民品产业化项目，研发生产的产品为雪崩光电二极管(APD)芯片，应用于GPON(吉比特无源光网络)光接入网，在光线路端(OLT)及用户端(ONU)...
关键词：
关键词：雪崩光电二极管光接入网
背照式紫外雪崩探测器及其制作方法
本发明公开了一种背照式紫外雪崩探测器，所述背照式紫外雪崩探测器由蓝宝石衬底、低温AlN核化层、高温AlN模板、AlN/AlGaN超晶格层、P<Sup>+</Sup>‑GaN接触层、P<Sup>‑</Sup>‑AlGaN吸...
赵文伯申志辉陈扬叶嗣荣
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共2页<12>
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