赵文伯
- 作品数：39 被引量：93H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划中国电子科技集团公司创新基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究
- 2005年
- 报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4)薄膜不裂、表面光亮。并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征。生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。
- 赵红赵文伯周勇杨晓波
- 关键词：金属有机物化学气相淀积紫外光焦平面阵列
- InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正
- 2020年
- 背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从"损伤层-翘曲度"理论出发,实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量,优化后晶圆的翘曲度降低了约20%;再通过湿法腐蚀去除损伤层,矫正已产生的翘曲,使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法,可使翘曲度下降至之前的10%以内。
- 张圆圆柳聪赵文伯莫才平董绪丰黄玉兰梁星宇段利华田坤张洪波
- 关键词：损伤层翘曲度湿法腐蚀
- CMOS图像传感器发展现状被引量：50
- 1999年
- 文章主要介绍了ＣＭＯＳ图像传感器的结构、单元电路、发展背景及其发展现状。
- 赵文伯刘俊刚
- 关键词：CMOS图像传感器有源像素传感器
- 一种台面型探测器表面钝化层的生长方法
- 本发明公开了一种台面型探测器表面钝化层的生长方法，其包括：在低温环境下采用等离子体化学气相沉积工艺在晶圆的台面结构表面形成SiO<Sub>2</Sub>钝化膜；在SiO<Sub>2</Sub>钝化膜上涂覆聚酰亚胺膜并对聚...
- 叶嗣荣黄俊龙赵文伯樊鹏王立
- 文献传递
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 高抑制比背照式Al_xGa_(1-x)N pin日盲紫外探测器研究被引量：1
- 2014年
- 利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。
- 赵文伯许华胜申志辉叶嗣荣周勋李艳炯黄烈云
- 关键词：抑制比背照式
- 一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法
- 本发明属于宽禁带半导体、光电子器件领域，具体涉及一种雪崩焦平面探测器外延结构及其制备方法；所述外延结构从上至下包括非故意掺杂AlGaN吸收层、N型AlGaN组分渐变层、N型AlGaN超晶格层、非故意掺杂AlN模板层以及A...
- 申志辉赵文伯崔大健陈扬刘海军张承敖天宏
- 背照式高量子效率AlGaN日盲紫外探测器设计被引量：4
- 2013年
- 高量子效率、高UV/VIS抑制比、宽的光谱响应范围、快的响应速度是AlGaN紫外探测器设计追求的主要目标。为了获得适宜于紫外焦平面阵列的探测器结构，结合MOCVD外延材料生长的特点，采用模拟计算与实验相结合的方法，设计了背照式高量子效率AlGaN日盲探测器。详细介绍了背照式AlxGa1-xN-pin紫外探测器结构参数设计的依据和设计过程，并给出了设计结果，通过工艺实验，对设计结果进行了优化。应用设计结果进行了器件试制，经测试试制器件，其峰值响应波长为270 nm，光谱响应范围为250～282 nm，峰值量子效率达到了57%（0 V），实验表明取得了比较理想的设计结果。
- 赵文伯周勋李艳炯申志辉罗木昌
- 关键词：ALGAN
- 日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)
- 2008年
- 研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.
- 朱雁翎杜江锋罗木昌赵红赵文伯黄烈云姬洪于奇杨谟华
- 关键词：欧姆接触退火
- CMOS有源象素图象传感器被引量：7
- 1998年
- 介绍了ＣＭＯＳ图象传感器一般结构、ＣＭＯＳ图象传感器的象元结构和在片模拟信号处理，并介绍了两种典型的ＣＭＯＳ有源象素图象传感器。
- 赵文伯
- 关键词：CMOS图象传感器
