杨晓波
- 作品数：26 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究
- 2005年
- 报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料，生长的高A1组分AlxGa1-xN(x≥0．4)薄膜不裂、表面光亮。并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行了表征。生长的高Al组分AlxGa1-xN薄膜已用于研制64×64元日盲型紫外探测器焦平阵列。
- 赵红赵文伯周勇杨晓波
- 关键词：金属有机物化学气相淀积紫外光焦平面阵列
- SLD应变量的X衍射测试及分析
- 本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要求的SLD器件.
- 杨晓波廖秀英
- 关键词：超辐射发光二极管金属有机化学X射线衍射
- 文献传递
- AlGaN日盲紫外焦平面阵列均匀性研究被引量：2
- 2018年
- 结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外延材料Al组分分布均匀性、芯片电阻和电容分布均匀性的各种因素。在此基础上,提出了改进器件均匀性的技术途径。利用MOCVD外延材料生长技术,生长了背照式AlGaN-pin异质结构外延材料,并利用所生长的外延材料制作了320×256元AlGaN日盲紫外焦平面阵列器件。测试所制作的器件,结果显示,其光谱响应范围为255~280nm,位于日盲波段,0V偏置时272nm峰值波长响应度大于0.16A/W(外量子效率大于72.9%),有效像元数大于99.2%,响应非均匀性小于3.36%。
- 赵文伯叶嗣荣赵红罗木昌周勋杨晓波陈扬李艳炯申志辉柳聪
- 关键词：焦平面阵列
- 用5晶（7晶）X射线衍线仪研究半导体薄膜材料被引量：1
- 1996年
- ５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪非常适合于高级半导体单晶，特别是Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体及其异质外延层的特性分析。本文将简单地介绍５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪，以及在半导体薄膜研究中的结果。
- 罗江财杨晓波
- 关键词：半导体薄膜
- Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。
- 赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
- 关键词：ALXGA1-XNPIN光电二极管
- AlGaN紫外光探测器外延材料生长研究
- 本文报道了在蓝宝石衬底上采用金属有机物化学气相淀积技术成功地生长出了GaN基紫外探测器阵列外延材料,生长的高Al组分AlxGa1-xN(x≥0.4)薄膜不裂、表面光亮.并采用X-射线双晶衍射、显微照片等方法对薄膜质量进行...
- 赵红赵文伯周勇杨晓波
- 关键词：金属有机物化学气相淀积紫外光焦平面阵列紫外光探测器
- 能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构
- 一种能降低超辐射发光二极管光谱波纹的芯片结构，包括超辐射发光二极管芯片，所述超辐射发光二极管芯片由顺次层叠的N面电极层、衬底层、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、顶层、电隔离层和P面电极层组成，其中...
- 唐祖荣周勇杨晓波罗洪静王华平孙迎波
- 文献传递
- 高温AlN模板上p型GaN的生长研究
- 2008年
- 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.
- 刘挺邹泽亚王振赵红赵文伯罗木昌周勋杨晓波廖秀英
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型GAN
- 一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法
- 本发明公开一种确定AlGaN外延层中Al组分的测试方法，包括步骤：S1、利用X射线衍射仪，以AlN层作为假设衬底，在样品104方向找出最强峰，以此最强峰为中心做ω-2θ同步单扫描曲线，根据测试样品在该曲线上找到一个中心点...
- 杨晓波李艳炯
- 一种GaAs基InAs量子点材料生长方法
- 本发明提供一种GaAs基InAs量子点材料生长方法，包括：S1、在衬底上生长GaAs缓冲层；S2、在缓冲层上生长2～4ML的InAs量子点层，生长温度为470～510℃；S3、关闭As源；S4、在InAs量子点层的顶部采...
- 刘尚军周勇莫才平冯琛张靖杨晓波刘万清
- 文献传递
