廖秀英
- 作品数：8 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：重庆市科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SLD应变量的X衍射测试及分析
- 本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要求的SLD器件.
- 杨晓波廖秀英
- 关键词：超辐射发光二极管金属有机化学X射线衍射
- 文献传递
- Al_xGa_(1-x)N日盲紫外探测器及其焦平面阵列被引量：5
- 2009年
- 报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况，介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器件的开启电压大于3．5V，-0．5V偏压时暗电流小于1．2×10^-12A（φ=300ttm台面），光谱响应范围260～280nm，268nm峰值波长的响应度大于0．095A／W。器件实现了日盲紫外成像演示。
- 赵文伯赵红叶嗣荣黄烈云唐遵烈罗木昌杨晓波廖秀英向勇军邹泽亚
- 关键词：ALXGA1-XNPIN光电二极管
- 高温AlN模板上p型GaN的生长研究
- 2008年
- 利用低压金属有机物化学气相沉积技术,采用均匀掺杂和渐变Mg-δ掺杂方法,分别在氮化镓(GaN)和高温氮化铝(HT-AlN)模板上,生长了p型GaN外延材料.生长后,双晶X射线衍射和霍尔测试结果表明:HT-AlN模板上采用渐变Mg-δ掺杂方法生长的p型GaN材料,具有最好的晶体质量和电学性能.该p型GaN样品的(0002)面半峰宽值小至178″,其空穴氧浓度为5.78×1017cm-3.在对Cp2Mg/TMGa进行了优化试验后,p型GaN的空穴氧浓度被提高到8.03×1017cm-3.
- 刘挺邹泽亚王振赵红赵文伯罗木昌周勋杨晓波廖秀英
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型GAN
- Si-SiO_2薄膜的翘曲度及应力分布测试分析被引量：2
- 2003年
- 应用BGS 6341型电子薄膜应力分布测试仪,对硅薄膜翘曲度及应力进行了测试,结合生产工艺对其测试结果加以分析,找出应力产生的各种因素,并加以改进,有效地提升工艺生产水平及稳定性。
- 廖秀英杨晓波
- 关键词：翘曲度应力
- 二次退火对P型GaN的应变影响
- 2008年
- 采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理。利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨。结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性。
- 周勋左长明邹泽亚廖秀英姬洪罗木昌刘挺赵红
- 关键词：GAN退火HRXRD
- 通过倒易空间扫描表征AlGaN外延材料
- 2011年
- AlGaN在紫外器件(紫外探测器、紫外LED等)以及高速功率器件(HEMT等)方面有着非常重要的应用。提出利用HRXRD倒易空间的测试分析方法来获得外延材料中的晶格应变及其缺陷状态,这对AlGaN材料的MOCVD外延生长具有重要的指导意义。
- 廖秀英周勋杨晓波赵红赵文伯
- 关键词：ALGANHRXRD倒易空间MOCVD紫外探测器
- 蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长被引量：1
- 2007年
- 采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。
- 赵红邹泽亚赵文伯杨晓波刘挺廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词：MOCVDALGAN
- 蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长被引量：6
- 2007年
- 在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.
- 赵红邹泽亚赵文伯刘挺杨晓波廖秀英王振周勇刘万清
- 关键词：MOCVDALN
